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1. (WO2017034018) グラフェン膜、複合体、それらの製造方法、及び単結晶サファイア基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/034018    国際出願番号:    PCT/JP2016/074943
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 26.08.2016
IPC:
B32B 9/00 (2006.01)
出願人: NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 8-22, Shinden 3-Chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511 (JP).
PUBLIC UNIVERSITY CORPORATION YOKOHAMA CITY UNIVERSITY [JP/JP]; 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama City, Kanagawa 2360027 (JP)
発明者: AOTA Natsuko; (JP).
AIDA Hideo; (JP).
TACHIBANA Masaru; (JP).
MORISAKO Shiyo; (JP)
優先権情報:
2015-166434 26.08.2015 JP
2015-166432 26.08.2015 JP
発明の名称: (EN) GRAPHENE FILM, COMPOSITE BODY, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SINGLE-CRYSTAL SAPPHIRE SUBSTRATE
(FR) FILM DE GRAPHÈNE, CORPS COMPOSITE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET SUBSTRAT EN SAPHIR MONOCRISTALLIN
(JA) グラフェン膜、複合体、それらの製造方法、及び単結晶サファイア基板
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a high-quality graphene film in which the number of layers is controlled, and a sapphire substrate that is optimal for obtaining the graphene film. To clarify the characteristics of the sapphire substrate for growing the graphene film that are optimal for achieving a high-quality graphene film and for enabling control of the number of layers. [Solution] The inclination angle between the actual surface of the sapphire substrate for growing the graphene and the crystal lattice surface is set to greater than 0°, whereby a high-quality graphene film in which the number of layers is controlled can be obtained. A composite body is obtained having a single-crystal sapphire substrate for which the off angle is greater than 0°, a metal film epitaxially grown on the sapphire substrate, and a graphene film epitaxially grown on the metal film.
(FR)Le problème abordé est de pourvoir à un film de graphène de qualité élevée dans lequel le nombre de couches est contrôlé, et à un substrat en saphir qui est optimal pour obtenir ledit film de graphène. L'invention a pour objet de clarifier les caractéristiques du substrat en saphir qui sont optimales pour faire croître le film de graphène, d'obtenir un film de graphène de qualité élevée et de permettre le contrôle du nombre de couches. La solution selon l'invention consiste à fixer l'angle d'inclinaison entre la surface réelle du substrat en saphir pour faire croître le graphène et la surface du réseau cristallin à une valeur supérieure à 0°, pour obtenir un film de graphène de qualité élevée dans lequel le nombre de couches est contrôlé. Un corps composite comportant un substrat en saphir monocristallin dont l'angle d'inclinaison est supérieur à 0°, un film métallique obtenu par croissance épitaxiale sur le substrat en saphir, et un film de graphène obtenu par croissance épitaxiale sur le film métallique est en outre décrit.
(JA)【課題】高品質でかつ層数制御されたグラフェン膜とそのグラフェン膜を得るために最適なサファイア基板を提供する。グラフェン膜を高品質化し、かつ層数制御を可能とするために最適なグラフェン膜成長用サファイア基板の特性を明らかにする。 【解決手段】グラフェン成長用サファイア基板の実表面と結晶格子面の傾斜角度を0°超とすることにより、高品質でかつ層数制御されたグラフェン膜を得ることができる。オフ角度が0°超である単結晶サファイア基板と、該サファイア基板上にエピタキシャル成長した金属膜と、該金属膜上にエピタキシャル成長したグラフェン膜を有する複合体とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)