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1. (WO2017033754) プラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/033754 国際出願番号: PCT/JP2016/073648
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 10.08.2016
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
小川 秀平 OGAWA, Shuhei; JP
朴 玩哉 PARK, Wanjae; JP
木原 嘉英 KIHARA, Yoshihide; JP
本田 昌伸 HONDA, Masanobu; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
2015-16741627.08.2015JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法
要約:
(EN) Provided is a plasma processing method by which a body to be processed, in which an organic film, a mask film, and a resist film are stacked in the stated order, is processed by plasma, wherein the plasma processing method has the following: a step in which the body to be processed having a prescribed pattern formed on the resist film is conveyed into a chamber, and supplied into the chamber is a reforming gas that is H2 gas, halogenated hydrogen gas, or a mixed gas including halogenated hydrogen gas or a noble gas and H2 gas; and a reforming step for reforming the resist film of the body to be processed using a plasma of the reforming gas at a processing temperature of -20°C or less.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement par plasma par lequel un corps à traiter, dans lequel un film organique, un film de masque et un film de résine photosensible sont empilés dans l'ordre indiqué, est traité par plasma, le procédé de traitement par plasma comprenant les étapes suivantes : une étape à laquelle le corps à traiter, comportant un motif prescrit formé sur le film de résine photosensible, est transporté dans une chambre, et un gaz de reformage, qui est du H2 gazeux, de l'hydrogène halogéné gazeux, ou un mélange gazeux comprenant de l'hydrogène halogéné gazeux ou un gaz noble et du H2 gazeux, est introduit dans la chambre ; et une étape de reformage consistant à reformer le film de résine photosensible du corps à traiter à l'aide d'un plasma du gaz de reformage à une température de traitement de -20 °C ou moins.
(JA) 有機膜、マスク膜、およびレジスト膜が順に積層された被処理体をプラズマにより処理するプラズマ処理方法であって、レジスト膜に所定のパターンが形成された被処理体が搬入されたチャンバ内にH2ガス、ハロゲン化水素ガス、または、希ガスとH2ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程と、-20℃以下の処理温度で、改質ガスのプラズマにより被処理体のレジスト膜を改質する改質工程とを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020180043784US20180226279CN108028196