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1. (WO2017033754) プラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/033754    国際出願番号:    PCT/JP2016/073648
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 10.08.2016
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: OGAWA, Shuhei; (JP).
PARK, Wanjae; (JP).
KIHARA, Yoshihide; (JP).
HONDA, Masanobu; (JP)
代理人: SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
2015-167416 27.08.2015 JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法
要約: front page image
(EN)Provided is a plasma processing method by which a body to be processed, in which an organic film, a mask film, and a resist film are stacked in the stated order, is processed by plasma, wherein the plasma processing method has the following: a step in which the body to be processed having a prescribed pattern formed on the resist film is conveyed into a chamber, and supplied into the chamber is a reforming gas that is H2 gas, halogenated hydrogen gas, or a mixed gas including halogenated hydrogen gas or a noble gas and H2 gas; and a reforming step for reforming the resist film of the body to be processed using a plasma of the reforming gas at a processing temperature of -20°C or less.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement par plasma par lequel un corps à traiter, dans lequel un film organique, un film de masque et un film de résine photosensible sont empilés dans l'ordre indiqué, est traité par plasma, le procédé de traitement par plasma comprenant les étapes suivantes : une étape à laquelle le corps à traiter, comportant un motif prescrit formé sur le film de résine photosensible, est transporté dans une chambre, et un gaz de reformage, qui est du H2 gazeux, de l'hydrogène halogéné gazeux, ou un mélange gazeux comprenant de l'hydrogène halogéné gazeux ou un gaz noble et du H2 gazeux, est introduit dans la chambre ; et une étape de reformage consistant à reformer le film de résine photosensible du corps à traiter à l'aide d'un plasma du gaz de reformage à une température de traitement de -20 °C ou moins.
(JA)有機膜、マスク膜、およびレジスト膜が順に積層された被処理体をプラズマにより処理するプラズマ処理方法であって、レジスト膜に所定のパターンが形成された被処理体が搬入されたチャンバ内にH2ガス、ハロゲン化水素ガス、または、希ガスとH2ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程と、-20℃以下の処理温度で、改質ガスのプラズマにより被処理体のレジスト膜を改質する改質工程とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)