WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2017033673) パワー半導体素子の駆動回路、電力変換ユニットおよび電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/033673    国際出願番号:    PCT/JP2016/072465
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 01.08.2016
IPC:
H02M 1/08 (2006.01), H02M 1/00 (2007.01), H03K 17/08 (2006.01), H03K 17/12 (2006.01), H03K 17/56 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: MIMA Akira; (JP)
代理人: TODA Yuji; (JP)
優先権情報:
2015-166536 26.08.2015 JP
発明の名称: (EN) DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT, POWER CONVERSION UNIT, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DESTINÉ À UN ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, UNITÉ DE CONVERSION DE PUISSANCE, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体素子の駆動回路、電力変換ユニットおよび電力変換装置
要約: front page image
(EN)This drive circuit for a power semiconductor element is a drive circuit that is provided in correspondence with each of multiple power semiconductor elements connected in parallel, and that drives the power semiconductor element. This drive circuit for a power semiconductor element is equipped with a storage unit that stores characteristic information of the power semiconductor element, and a gate drive control unit that controls the drive conditions for a gate of the power semiconductor element on the basis of the characteristic information stored in the storage unit.
(FR)L'invention concerne un circuit d'attaque pour élément à semi-conducteur de puissance, qui est un circuit d'attaque qui est prévu en correspondance avec chaque élément à semi-conducteur de puissance de multiples éléments à semi-conducteur de puissance connectés en parallèle, et qui attaque l'élément à semi-conducteur de puissance. Ce circuit d'attaque pour élément à semi-conducteur de puissance est équipé d'une unité de stockage qui stocke des informations caractéristiques de l'élément à semi-conducteur de puissance, et d'une unité de commande d'attaque de grille qui commande les conditions d'attaque pour une grille de l'élément à semi-conducteur de puissance sur la base des informations caractéristiques stockées dans l'unité de stockage.
(JA)本発明のパワー半導体素子の駆動回路は、並列に接続された複数のパワー半導体素子の各々に対応して設けられ、パワー半導体素子を駆動する駆動回路である。そして、本発明のパワー半導体素子の駆動回路は、パワー半導体素子の特性情報を記憶する記憶部と、記憶部に記憶されている特性情報に基づいて、パワー半導体素子のゲート駆動条件を制御するゲート駆動制御部と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)