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1. (WO2017033636) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/033636    国際出願番号:    PCT/JP2016/071515
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 22.07.2016
IPC:
H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661 (JP)
発明者: TANABE Hiromitsu; (JP).
KOUNO Kenji; (JP)
代理人: JIN Shunji; (JP)
優先権情報:
2015-163924 21.08.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device wherein a semiconductor substrate (50) has a first major surface (50a) and a second major surface (50b) on a rear surface thereof, and is provided with both an IGBT cell (10) having a collector region (14) and a diode cell (20) having a cathode region (22), wherein the semiconductor substrate (50) is provided with a first defect layer (15a) and a second defect layer (15b) in a drift region (17). When, in the drift region, a boundary region is defined as a region which is enclosed by: an interface (Pb) of the IGBT cell and the diode cell which is perpendicular to a first major surface; and a plane (Pc) which passes a boundary line extending, at the boundary of the collector region and the cathode region, along an interface of the collector region and the drift region, and which intersects the first major surface at an angle of 45 degrees, the diode cell is formed such that an area S of a surface on the first major surface side of the drift region which is occupied by the boundary region and an area SDI occupied by the diode cell satisfy a relationship SDI > S.
(FR)L'invention concerne un dispositif semiconducteur dans lequel un substrat en semiconducteur (50) possède une première surface principale (50a) et une deuxième surface principale (50b) sur une surface arrière de celui-ci, et est pourvu à la fois d'une cellule d'IGBT (10) ayant une région de collecteur (14) et d'une cellule de diode (20) ayant une région de cathode (22). Le substrat en semiconducteur (50) est pourvu d'une première couche de défauts (15a) et d'une seconde couche de défauts (15b) dans une région de dérive (17). Lorsque, dans la région de dérive, une région de frontière est définie comme une région qui est entourée par : une interface (Pb) de la cellule d'IGBT et de la cellule de diode qui est perpendiculaire à une première surface principale ; et un plan (Pc) qui passe par une ligne de délimitation s'étendant, au niveau de la limite de la région de collecteur et de la région de cathode, le long d'une interface de la région de collecteur et de la région de dérive, et qui croise la première surface principale à un angle de 45 degrés, la cellule de diode est formée de telle sorte qu'une aire S d'une surface sur le côté de la première surface principale de la région de dérive qui est occupée par la région de frontière et une aire SDI occupée par la cellule de diode satisfont à une relation SDI > S.
(JA)半導体装置は、第1主面(50a)およびその裏面の第2主面(50b)を有する半導体基板(50)に、コレクタ領域(14)を有するIGBTセル(10)と、カソード領域(22)を有するダイオードセル(20)とが併設され、ドリフト領域(17)に第1欠陥層(15a)と、第2欠陥層(15b)と、を備える。ドリフト領域において、IGBTセルとダイオードセルとの、第1主面に直交する界面(Pb)と、コレクタ領域とカソード領域との境界であって、コレクタ領域のドリフト領域の界面に沿う境界線を通り、第1主面と角度45度で交わる平面(Pc)と、により囲まれる領域を境界領域として定義するとき、ダイオードセルは、ドリフト領域における第1主面側の表面のうち、境界領域が占める面積Sと、ダイオードセルが占める面積SDIと、がSDI>Sの関係を満たすように形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)