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1. (WO2017033583) シリコン単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/033583    国際出願番号:    PCT/JP2016/069981
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 06.07.2016
IPC:
C30B 29/06 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
発明者: KAJIWARA Kaoru; (JP).
SAITO Yasuhiro; (JP).
KANEHARA Takahiro; (JP).
KATANO Tomokazu; (JP).
TANABE Kazumi; (JP).
TANAKA Hideki; (JP)
代理人: WASHIZU Mitsuhiro; (JP)
優先権情報:
2015-163511 21.08.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON MONOCRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)[Problem] To reduce the carbon concentration in the second and following pieces of a silicon monocrystal while preventing a pinhole defect in the silicon monocrystal in a multipulling method. [Solution] A plurality of pieces of a silicon monocrystal 2 are produced using a single quartz crucible 12 by repeatedly performing a step for melting a silicon material loaded in the quartz crucible 12 in a chamber 10 by heating the silicon material using a heater 15, and a step for pulling up the silicon monocrystal 2 from a silicon melt 3 in the quartz crucible 12. The inner furnace pressure of the chamber 10 at the time when a silicon material that is additionally supplied in the quartz crucible 12 is melted in order to allow pulling up of the second and following pieces of the silicon monocrystal 2, is set to be higher than the inner furnace pressure of the chamber 10 at the time when a silicon material that is supplied in the quartz crucible 12 is melted in order to allow pulling up of the first piece of the silicon monocrystal 2.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de réduire la concentration en carbone dans la deuxième pièce et les pièces suivantes d'un monocristal de silicium tout en empêchant un défaut de piqûre dans le monocristal de silicium dans un procédé par tirage multiple. La solution selon l’invention porte sur une pluralité de pièces d'un monocristal de silicium 2 qui sont produites à l'aide d'un seul creuset en quartz 12 en effectuant de façon répétée une étape de fusion d'un matériau de silicium chargé dans le creuset en quartz 12 dans une chambre 10 en chauffant ledit matériau de silicium à l'aide d'un dispositif de chauffage 15, et une étape servant à tirer le monocristal de silicium 2 à partir d'une masse fondue de silicium 3 dans le creuset en quartz 12. La pression interne du four de la chambre 10, au moment où un matériau de silicium qui est en outre alimenté dans le creuset en quartz est fondu de manière à permettre le tirage de la deuxième pièce et des pièces suivantes du monocristal de silicium 2, est réglée pour être supérieure à la pression de four interne de la chambre 10 au moment où un matériau de silicium, qui est fourni dans le creuset en quartz 12, est fondu de manière à permettre le tirage de la première pièce du monocristal de silicium 2.
(JA)【課題】マルチプリング法においてシリコン単結晶のピンホール不良を防止しつつ、2本目以降のシリコン単結晶中のカーボン濃度を低減する。 【解決手段】チャンバー10内の石英ルツボ12内に充填されたシリコン原料をヒータ15で加熱して融解する工程と、石英ルツボ12内のシリコン融液3からシリコン単結晶2を引き上げる工程とを繰り返することにより、同一の石英ルツボ12を用いて複数本のシリコン単結晶2を製造する。2本目以降のシリコン単結晶2を引き上げるために石英ルツボ12内に追加供給されたシリコン原料を融解する際のチャンバー10内の炉内圧は、1本目のシリコン単結晶2を引き上げるために石英ルツボ12内に供給されたシリコン原料を融解する際のチャンバー10の炉内圧よりも高く設定される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)