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1. (WO2017033564) 高周波モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/033564 国際出願番号: PCT/JP2016/069227
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 29.06.2016
IPC:
H04B 1/38 (2015.01)
H 電気
04
電気通信技術
B
伝送
1
グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
38
送受信機,すなわち送信機と受信機とが1つの構造ユニットを形成し,かつ少なくとも一部分は送信および受信機能のために用いられる装置
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
人見 伸也 HITOMI, Shinya; JP
帯屋 秀典 OBIYA, Hidenori; JP
中嶋 礼滋 NAKAJIMA, Reiji; JP
代理人:
吉川 修一 YOSHIKAWA, Shuichi; JP
優先権情報:
2015-16808927.08.2015JP
発明の名称: (EN) HIGH-FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
要約:
(EN) This high-frequency module (1) is provided with: a first substrate (101); a second substrate (102) opposing the first substrate (101); support bodies (103) for supporting the first substrate (101) and the second substrate (102); and a plurality of high-frequency circuit components disposed in an inner space formed by the first substrate (101), the second substrate (102) and the support bodies (103) and on both opposing main surfaces of the first substrate (101) and the second substrate (102). The plurality of high-frequency circuit components includes power amplifier elements which constitute a power amplifier circuit (16).
(FR) La présente invention concerne un module haute fréquence (1) qui est pourvu : d'un premier substrat (101) ; d'un second substrat (102) à l'opposé du premier substrat (101) ; de corps de support (103) pour supporter le premier substrat (101) et le second substrat (102) ; et d'une pluralité de composants de circuit haute fréquence disposés dans un espace interne formé par le premier substrat (101), le second substrat (102) et les corps de support (103) et sur les deux surfaces principales opposées du premier substrat (101) et du second substrat (102). La pluralité de composants de circuit haute fréquence comprend des éléments d'amplificateur de puissance qui constituent un circuit amplificateur de puissance (16).
(JA) 高周波モジュール(1)は、第1基板(101)と、第1基板(101)と対向する第2基板(102)と、第1基板(101)と第2基板(102)とを支持する支持体(103)と、第1基板(101)と第2基板(102)と支持体(103)とによって形成された内部空間であって、第1基板(101)および第2基板(102)の対向する両主面上に配置された複数の高周波回路部品とを備え、複数の高周波回路部品は、パワーアンプ回路(16)を構成するパワーアンプ素子を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)