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1. (WO2017033476) 波長結合外部共振器型レーザ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/033476 国際出願番号: PCT/JP2016/055385
国際公開日: 02.03.2017 国際出願日: 24.02.2016
IPC:
H01S 5/14 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
14
外部共振器型レーザ
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
20
半導体本体の光を導波する構造または形状
22
リッジまたはストライプ構造を有するもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
今野 進 KONNO, Susumu; JP
河▲崎▼ 正人 KAWASAKI, Masato; JP
森田 大嗣 MORITA, Daiji; JP
桂 智毅 KATSURA, Tomotaka; JP
藤川 周一 FUJIKAWA, Shuichi; JP
代理人:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
優先権情報:
2015-16805527.08.2015JP
発明の名称: (EN) WAVELENGTH COUPLED EXTERNAL RESONATOR-TYPE LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER DE TYPE RÉSONATEUR EXTERNE COUPLÉ EN LONGUEUR D'ONDE
(JA) 波長結合外部共振器型レーザ装置
要約:
(EN) A wavelength coupled external resonator-type laser device is provided with: a plurality of semiconductor laser bars 1, 1a to 1g which emit mutually different wavelengths of light; a diffraction grating 4 which diffracts light at different angles in accordance with the wavelength so as to cause the light emitted from the semiconductor laser bars 1, 1a to 1g to be superposed on a single optical axis; and a partially transmitting mirror 5 which reflects some of the superposed light along the single optical axis, wherein the semiconductor laser bars 1, 1a to 1g include a plurality of light emitting points 6, 7 having at least two types of wavelength bands BW1, BW2, with only the light emitting point having a specific wavelength band emitting light. This technique enables the production of a high-quality and high-output light beam.
(FR) Cette invention concerne un dispositif laser de type résonateur externe couplé en longueur d'onde, comprenant : une pluralité de barres laser à semi-conducteur (1, 1a à 1g) qui émettent réciproquement des longueurs d'onde différentes d'une lumière ; un réseau de diffraction (4) qui diffracte la lumière à des angles différents en fonction de la longueur d'onde de manière à amener la lumière émise à partir des barres laser à semi-conducteur (1, 1a à 1g) à se superposer sur un axe optique unique ; et un miroir à transmission partielle (5) qui réfléchit une partie de la lumière superposée le long de l'axe optique unique, lesdites barres laser à semi-conducteur (1, 1a à 1g) comprenant une pluralité de points d'émission de lumière (6, 7) présentant au moins deux types de bandes de longueur d'onde (BW1, BW2), seul le point d'émission de lumière possédant une bande de longueur d'onde spécifique d'émission de lumière. Cette technique permet de produire un faisceau de lumière de haute qualité et de haut débit.
(JA) 波長結合外部共振器型レーザ装置は、互いに異なる波長の光を出射する複数の半導体レーザバー1,1a~1gと、波長に応じて異なる角度で光を回折し、各半導体レーザバー1,1a~1gから出射された光を単一光軸に重畳させるための回折格子4と、重畳された光の一部を該単一光軸に沿って反射する部分透過ミラー5とを備え、各半導体レーザバー1,1a~1gは、少なくとも2種類の波長帯域BW1,BW2を有する複数の発光点6,7を有し、特定の波長帯域を有する発光点だけが光を出射する。こうした手法により、高品質かつ高出力の光ビームを発生できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)