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1. (WO2017030126) 半導体装置及び半導体素子保護用材料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/030126 国際出願番号: PCT/JP2016/073934
国際公開日: 23.02.2017 国際出願日: 16.08.2016
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,C08G 59/18 (2006.01) ,C08K 3/00 (2006.01) ,C08L 63/00 (2006.01) ,C08L 83/05 (2006.01) ,C08L 83/07 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
59
1分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する重縮合物;エポキシ重縮合物と単官能性低分子量化合物との反応によって得られる高分子化合物;エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する化合物を重合することにより得られる高分子化合物
18
エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含む化合物を重合することにより得られる高分子化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K
無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
3
無機配合成分の使用
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
63
エポキシ樹脂の組成物;エポキシ樹脂の誘導体の組成物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
83
主鎖のみにいおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
04
ポリシロキサン
05
水素に結合したけい素を含むもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
83
主鎖のみにいおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
04
ポリシロキサン
07
不飽和脂肪族基に結合したけい素を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
出願人:
積水化学工業株式会社 SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565, JP
発明者:
西村 貴史 NISHIMURA, Takashi; JP
前中 寛 MAENAKA, Hiroshi; JP
中村 秀 NAKAMURA, Shigeru; JP
青山 卓司 AOYAMA, Takuji; JP
小林 祐輔 KOBAYASHI, Yuusuke; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2015-16067417.08.2015JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTION MATERIAL
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET MATÉRIAU DE PROTECTION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置及び半導体素子保護用材料
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device in which a cured product has exceptional heat dissipation performance, a reduced number of voids, and exceptional insulation reliability, and in which a semiconductor element can be satisfactorily protected. The semiconductor device according to the present invention is provided with a semiconductor element and a cured product disposed on a first surface of the semiconductor element. A semiconductor element protection material for obtaining the cured product contains a heat-curable compound, a curing agent or a curing catalyst, and an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m•K or higher. The semiconductor element protection material either contains no 3- to 10-mer cyclic siloxane compounds, or contains 500 ppm or less of 3- to 10-mer cyclic siloxane compounds. The cured product has an inorganic filler content of 60‒92 wt% and an electrical conduction of 50 μS/cm or lower.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel un produit durci présente des performances de dissipation de chaleur exceptionnelles, un nombre réduit de vides et une fiabilité d'isolation exceptionnelle, et dans lequel un élément à semi-conducteur peut être protégé d'une manière satisfaisante. Le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention est pourvu d'un élément à semi-conducteur et d'un produit durci disposé sur une première surface de l'élément à semi-conducteur. Un matériau de protection d'élément à semi-conducteur permettant d'obtenir le produit durci contient un composé thermodurcissable, un durcisseur ou un catalyseur de durcissement, et une charge inorganique possédant une conductivité thermique supérieure ou égale à 10 W/m.K. Le matériau de protection d'élément à semi-conducteur soit ne contient pas de composés siloxane cycliques trimères à décamères, soit contient 500 ppm ou moins de composés siloxane cycliques trimères à décamères. Le produit durci présente une teneur en charge inorganique de 60 à 92 % en poids et une conductivité électrique inférieure ou égale à 50 µS/cm.
(JA) 硬化物の放熱性に優れ、硬化物のボイドが少なく、硬化物の絶縁信頼性に優れており、半導体素子を良好に保護することができる半導体装置を提供する。 本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の第1の表面上に配置された硬化物とを備え、前記硬化物を得るための半導体素子保護用材料は、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーとを含み、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を500ppm以下で含み、前記硬化物における前記無機フィラーの含有量が60重量%以上、92重量%以下であり、前記硬化物の電気伝導度が50μS/cm以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2017030126KR1020180013842CN107735859JP2018056595KR1020180061405