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1. (WO2017029976) 電子デバイス、トポロジカル絶縁体、トポロジカル絶縁体の製造方法およびメモリ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/029976 国際出願番号: PCT/JP2016/072542
国際公開日: 23.02.2017 国際出願日: 01.08.2016
IPC:
H01L 29/82 (2006.01) ,H01F 10/14 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08
磁性体層によって特徴づけられたもの
10
組成によって特徴づけられたもの
12
金属または合金
14
鉄またはニッケルを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08
磁性体層によって特徴づけられたもの
10
組成によって特徴づけられたもの
12
金属または合金
16
コバルトを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
出願人:
国立研究開発法人理化学研究所 RIKEN [JP/JP]; 埼玉県和光市広沢2番1号 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198, JP
発明者:
吉見 龍太郎 YOSHIMI Ryutaro; JP
茂木 将孝 MOGI Masataka; JP
永長 直人 NAGAOSA Naoto; JP
川▲崎▼ 雅司 KAWASAKI Masashi; JP
十倉 好紀 TOKURA Yoshinori; JP
小椎八重 航 KOSHIBAE Wataru; JP
代理人:
龍華国際特許業務法人 RYUKA IP LAW FIRM; 東京都新宿区西新宿1-6-1 新宿エルタワー22階 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
優先権情報:
2015-16019814.08.2015JP
発明の名称: (EN) ELECTRONIC DEVICE, TOPOLOGICAL INSULATOR, METHOD FOR MANUFACTURING TOPOLOGICAL INSULATOR, AND MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ISOLANT TOPOLOGIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ISOLANT TOPOLOGIQUE, ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE
(JA) 電子デバイス、トポロジカル絶縁体、トポロジカル絶縁体の製造方法およびメモリ装置
要約:
(EN) The present invention provides an electronic device that is provided with: a first driving electrode; a second driving electrode spaced apart from the first driving electrode; and a topological insulator that is in contact with both the first driving electrode and the second driving electrode and that has magnetism. The topological insulator has: a first area having a first retaining force; and a second area having a second retaining force different from the first retaining force. The present invention also provides a method for manufacturing a topological insulator, the method being provided with: a step for preparing a topological insulator having magnetism and a first retaining force; and a step for forming a second area having a second retaining force different from the first retaining force by irradiating a partial area of the topological insulator with ions.
(FR) La présente invention concerne un dispositif électronique pourvu : d'une première électrode d'attaque ; d'une seconde électrode d'attaque espacée de la première électrode d'attaque ; et d'un isolant topologique qui est en contact à la fois avec la première électrode d'attaque et avec la seconde électrode d'attaque et qui présente un magnétisme. L'isolant topologique comprend : une première zone ayant une première force de retenue ; et une seconde zone ayant une seconde force de retenue différente de la première force de retenue. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un isolant topologique, le procédé comportant : une étape de préparation d'un isolant topologique présentant un magnétisme et une première force de retenue ; et une étape de formation d'une seconde zone présentant une seconde force de retenue différente de la première force de retenue par irradiation d'une zone partielle de l'isolant topologique à l'aide d'ions.
(JA) 第1の駆動電極と、第1の駆動電極と離間している第2の駆動電極と、第1の駆動電極および第2の駆動電極の双方に接し、磁性を有するトポロジカル絶縁体とを備え、トポロジカル絶縁体は、第1の保持力を有する第1の領域と、第1の保持力とは異なる第2の保持力を有する第2の領域とを有する電子デバイスを提供する。また、トポロジカル絶縁体の製造方法であって、磁性および第1の保持力を有するトポロジカル絶縁体を準備する段階と、トポロジカル絶縁体の一部の領域にイオンを照射することで、第1の保持力とは異なる第2の保持力を有する第2の領域を形成する段階とを備える製造方法を提供する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3336902