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1. (WO2017029891) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及びレジスト組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/029891 国際出願番号: PCT/JP2016/069537
国際公開日: 23.02.2017 国際出願日: 30.06.2016
IPC:
G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
金子 明弘 KANEKO Akihiro; JP
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
山本 慶 YAMAMOTO Kei; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
優先権情報:
2015-16203119.08.2015JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND RESIST COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
(JA) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及びレジスト組成物
要約:
(EN) Provided are: a pattern forming method which exhibits high sensitivity and high resolving power during the formation of an ultrafine pattern; a method for manufacturing an electronic device; and a resist composition. This pattern forming method comprises: a step (1) wherein a film is formed using an active light sensitive or radiation sensitive resin composition that contains (A) a resin which contains a repeating unit represented by general formula (1) in the description and having a ClogP value of 2.2 or less, and the solubility of which in a developer liquid containing an organic solvent is decreased by the action of an acid, (B) a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation, and (C) a solvent; a step (2) wherein the film is exposed to active light or radiation; and a step (3) wherein a negative pattern is formed by developing the film, which has been exposed to light in the step (2), with use of a developer liquid containing an organic solvent.
(FR) La présente invention porte sur : un procédé de formation de motif qui présente une sensibilité élevée et une puissance de résolution élevée pendant la formation d'un motif ultrafin; un procédé de fabrication d'un dispositif électronique; et une composition de résine photosensible. Le procédé de formation de motif selon la présente invention comprend : une étape (1) dans laquelle un film est formé à l'aide d'une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible aux rayonnements qui contient (A) une résine qui contient une unité répétitive représentée par la formule générale (1) dans la description et ayant une valeur ClogP de 2,2 au maximum, et dont la solubilité dans un liquide d'agent de développement contenant un solvant organique est diminuée par l'action d'un acide, (B) un composé qui génère un acide lorsqu'il est irradié avec une lumière active ou des rayonnements, et (C) un solvant; une étape (2) dans laquelle le film est exposé à la lumière active ou aux rayonnements; et une étape (3) dans laquelle un motif négatif est formé par développement du film, qui a été exposé à la lumière dans l'étape (2), avec utilisation d'un liquide d'agent de développement contenant un solvant organique.
(JA) 極微細のパターン形成の際に、感度が高く、かつ解像力が高いパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及びレジスト組成物を提供する。パターン形成方法は、(A)明細書中の一般式(1)で表され、ClogP値が2.2以下である繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、(C)溶剤とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、上記膜を活性光線又は放射線を用いて露光する工程(2)、及び上記工程(2)において露光された膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型のパターンを形成する工程(3)を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020180011193