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1. (WO2017029771) スパッタリング装置及びその状態判別方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/029771 国際出願番号: PCT/JP2016/002814
国際公開日: 23.02.2017 国際出願日: 10.06.2016
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/00 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
中村 真也 NAKAMURA, Shinya; JP
藤井 佳詞 FUJII, Yoshinori; JP
代理人:
特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 東京都品川区西五反田8-1-14 最勝ビル9階 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
優先権情報:
2015-16248420.08.2015JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING STATE THEREOF
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ POUR DÉTERMINER SON ÉTAT
(JA) スパッタリング装置及びその状態判別方法
要約:
(EN) Provided are a sputtering apparatus and a method for determining a state thereof which can reliably determine whether or not the atmosphere in a vacuum chamber is suitable for film formation. This method for determining a state of a sputtering apparatus determines, for a sputtering apparatus SM which forms a film on a substrate W disposed to face a target 2 by sputtering the target, whether or not the atmosphere in a vacuum chamber is in a state suitable for film formation prior to formation of a film on the substrate. The sputtering apparatus used in this method is a sputtering apparatus including in the vacuum chamber a space isolated from the vacuum chamber by separation means 6, 71-73. The isolated space includes the target and the substrate facing each other and is evacuated as a result of evacuation of the vacuum chamber. The vacuum chamber is evacuated to a predetermined pressure and a gas is introduced into the vacuum chamber in this state. At this time, the pressure of the isolated space is acquired. As a reference pressure, the pressure of the isolated space is preliminarily determined during formation of a film with predetermined in-plane thickness and quality distributions. The method comprises a first determination step of comparing the reference pressure and the acquired pressure of the isolated space to determine a state of the sputtering apparatus.
(FR) L'invention concerne un appareil de pulvérisation cathodique et un procédé pour déterminer son état, qui peut déterminer de manière fiable si l'atmosphère dans une chambre à vide est appropriée ou non pour la formation d'un film. Ce procédé pour déterminer un état d'un appareil de pulvérisation cathodique détermine, pour un appareil de pulvérisation cathodique SM qui forme un film sur un substrat W disposé de manière à faire face à une cible 2 par pulvérisation cathodique de la cible, si l'atmosphère dans une chambre sous vide est dans un état approprié ou non pour la formation d'un film avant la formation d'un film sur le substrat. L'appareil de pulvérisation cathodique utilisé dans ce procédé est un appareil de pulvérisation cathodique comprenant, dans la chambre à vide, un espace isolé de la chambre à vide par des moyens de séparation 6, 71-73. L'espace isolé comprend la cible et le substrat se faisant face l'un à l'autre et est mis sous vide suite à la mise sous vide de la chambre à vide. La chambre à vide est mise sous vide à une pression prédéterminée et un gaz est introduit dans la chambre à vide dans cet état. A ce moment, la pression de l'espace isolé est acquise. En tant que pression de référence, la pression de l'espace isolé est déterminée de façon préliminaire pendant la formation d'un film doté d'une épaisseur dans le plan et de distributions de qualité prédéterminées. Le procédé comprend une première étape de détermination consistant à comparer la pression de référence et la pression acquise de l'espace isolé pour déterminer un état de l'appareil de pulvérisation cathodique.
(JA) 真空チャンバ内の雰囲気が成膜に適した状態かを確実に判別できるスパッタリング装置及びその状態判別方法を提供する。 ターゲット2をスパッタリングしてこのターゲットに対向配置される基板Wに成膜するスパッタリング装置SMにて、基板への成膜に先立って真空チャンバ内の雰囲気が成膜に適した状態かを判別する本発明のスパッタリング装置の状態判別方法は、スパッタリング装置として、隔絶手段6,71~73によってターゲットと基板とが臨む、真空チャンバ内と隔絶された隔絶空間を真空チャンバ内に設け、真空チャンバ内の真空引きに伴って隔絶空間が真空引きされるようにしたものを用い、真空チャンバ内を予め設定された圧力まで真空引きし、この状態でガスを導入し、このときの隔絶空間内の圧力を取得し、所定の膜厚・膜質面内分布で成膜したときに予め求めた前記隔絶空間内の圧力を基準圧力とし、この基準圧力と前記取得した隔絶空間内の圧力とを比較してスパッタリング装置の状態を判別する第1の判別工程を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
SG11201701880WCN107002230US20170283940KR1020170102368