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1. WO2017029767 - 半導体装置

公開番号 WO/2017/029767
公開日 23.02.2017
国際出願番号 PCT/JP2015/073444
国際出願日 20.08.2015
IPC
H01L 23/32 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
32動作中の完全装置を支持する支持体,すなわち分離できる定着物
H01L 25/04 2014.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 2224/16225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 23/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
32Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
H01L 23/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
50for integrated circuit devices, ; e.g. power bus, number of leads
H01L 23/5383
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
538the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
5383Multilayer substrates
H01L 23/5385
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
538the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
5385Assembly of a plurality of insulating substrates
H01L 23/5386
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
538the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
5386Geometry or layout of the interconnection structure
出願人
  • ルネサスエレクトロニクス株式会社 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 仮屋崎 修一 KARIYAZAKI, Shuuichi
  • 白井 航 SHIROI, Wataru
  • 久保山 賢一 KUBOYAMA, Kenichi
代理人
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約
(EN) According to one embodiment of the present invention, a semiconductor device has a first semiconductor component and a second semiconductor component, which are electrically connected to each other via interposers. The interposers have a plurality of first signal wiring paths, and a plurality of second signal wiring paths which respectively have path distances that are shorter than those of the first signal wiring paths. The first semiconductor component is provided with a first electrode, a second electrode, and a third electrode, which are sequentially disposed in the first direction. The second semiconductor component includes a fourth electrode, a fifth electrode, and a sixth electrode, which are sequentially disposed in the first direction. The first electrode is connected to the fourth electrode via the first signal wiring path, the second electrode is connected to the fifth electrode via the first signal wiring path, and the third electrode is connected to the sixth electrode via the first signal wiring path.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comprenant un premier composant à semi-conducteur et un second composant à semi-conducteur, qui sont électriquement connectés l'un à l'autre par l'intermédiaire d'interposeurs. Les interposeurs comprennent une pluralité de premiers chemins de câblage de signal, et une pluralité de seconds chemins de câblage de signal qui ont respectivement des longueurs de chemin qui sont plus courtes que celles des premiers chemins de câblage de signal. Le premier composant à semi-conducteur comporte une première électrode, une deuxième électrode et une troisième électrode, qui sont disposées séquentiellement dans une première direction. Le second composant à semi-conducteur comporte une quatrième électrode, une cinquième électrode et une sixième électrode, qui sont disposées séquentiellement dans la première direction. La première électrode est connectée à la quatrième électrode par l'intermédiaire du premier chemin de câblage de signal, la deuxième électrode est connectée à la cinquième électrode par l'intermédiaire du premier chemin de câblage de signal, et la troisième électrode est connectée à la sixième électrode par l'intermédiaire du premier chemin de câblage de signal.
(JA) 一実施の形態による半導体装置は、インタポーザを介して互いに電気的に接続される第1半導体部品および第2半導体部品を有する。上記インタポーザは、複数の第1信号配線経路と、上記複数の第1信号配線経路のそれぞれより経路距離が短い複数の第2信号配線経路と、を有する。また、上記第1半導体部品は、第1方向に沿って順に配列される、第1電極、第2電極、および第3電極を備える。また、上記第2半導体部品は、上記第1方向に沿って順に配列される、第4電極、第5電極、および第6電極を含む。また、上記第1電極は、上記第1信号配線経路を介して上記第4電極と接続され、上記第2電極は、上記第1信号配線経路を介して上記第5電極と接続され、上記第3電極は、上記第1信号配線経路を介して上記第6電極と接続される。
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