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1. (WO2017026068) 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/026068 国際出願番号: PCT/JP2015/072883
国際公開日: 16.02.2017 国際出願日: 12.08.2015
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328
バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
329
装置が1つまたは2つの電極からなるもの,例.ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
868
PINダイオード
出願人:
新電元工業株式会社 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
福田 祐介 FUKUDA, Yusuke; JP
渡部 善之 WATANABE, Yoshiyuki; JP
中村 俊一 NAKAMURA, Shunichi; JP
代理人:
松尾 誠剛 MATSUO, Nobutaka; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置
要約:
(EN) A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes, in the following order: a grinding step, in which a silicon carbide semiconductor substrate 110 is ground, from the side of a second main surface 114, in order to form a relief on the second main surface; a metal thin film formation step, in which a metal thin film 118 comprising a metal capable of forming a metal carbide is formed on the second main surface of the silicon carbide semiconductor substrate; a laser beam radiation step, in which a laser beam in the visible spectrum or the infrared spectrum is radiated onto the metal thin film to heat the same, thereby forming a metal carbide 120 at the interface between the silicon carbide semiconductor substrate and the metal thin film; an etching step, in which a metal-containing by-product layer 122 which may have formed on the surface side of the metal carbide is removed by etching with a non-oxidizing liquid chemical, thereby exposing the metal carbide on the surface; and an electrode layer formation step, in which a cathode electrode 126 is formed on the metal carbide. This method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device allows the manufacture, at low cost, of an ohmic electrode that has superior characteristics of resistance and adhesion and does not experience problems with carbon precipitation.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs au carbure de silicium, qui comprend, dans cet ordre, les étapes suivantes : le broyage, pour broyer un substrat de semi-conducteur au carbure de silicium 110, à partir du côté d'une seconde surface principale 114, afin de former un relief sur la seconde surface principale ; la formation d'un film mince métallique 118, comportant un métal pouvant former un carbure métallique, sur la seconde surface principale du substrat de semi-conducteur au carbure de silicium ; le rayonnement d'un faisceau laser, dans le spectre visible ou dans le spectre infrarouge, sur le film mince métallique de façon à chauffer celui-ci, formant ainsi un carbure métallique 120 au niveau de l'interface entre le substrat de semi-conducteur au carbure de silicium et le film mince métallique ; la gravure d'une couche de sous-produit contenant du métal 122, qui peut avoir été formée sur le côté de surface du carbure métallique et qui est éliminée par gravure avec un produit chimique liquide non-oxydant, ce qui permet d'exposer le carbure métallique sur la surface ; la formation d'une couche d'électrode 126, une électrode de cathode étant formée sur le carbure métallique. Ce procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs au carbure de silicium permet la fabrication, à faible coût, d'une électrode ohmique qui présente des caractéristiques supérieures de résistance et d'adhérence sans présenter de problèmes de précipitation de carbone.
(JA) 炭化珪素半導体基体110を第2主面114側から研磨することで第2主面に凹凸を形成する研磨工程と、炭化珪素半導体基体の第2主面上に、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜118を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜に可視域又は赤外域のレーザ光を照射して金属薄膜を加熱することで炭化珪素半導体基体と金属薄膜との境界面に金属炭化物120を形成するレーザ光照射工程と、金属炭化物の表面側に形成されることがある金属含有副生成物層122を非酸化性薬液でエッチング除去して金属炭化物を表面に露出させるエッチング工程と、金属炭化物上にカソード電極126を形成する電極層形成工程とをこの順序で含む炭化珪素半導体装置の製造方法。本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を安価な製造コストで製造可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106575610US20180174835EP3336879