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1. (WO2017022761) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/022761 国際出願番号: PCT/JP2016/072659
国際公開日: 09.02.2017 国際出願日: 02.08.2016
IPC:
H01L 51/30 (2006.01) ,C07F 7/08 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
7
周期律表の第4族の元素を含有する化合物
02
ケイ素化合物
08
1個以上のC-Si結合をもつ化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
国立大学法人東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 東京都文京区本郷七丁目3番1号 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
発明者:
小柳 雅史 KOYANAGI Masashi; JP
津山 博昭 TSUYAMA Hiroaki; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI Eiji; JP
宇佐美 由久 USAMI Yoshihisa; JP
渡邉 哲也 WATANABE Tetsuya; JP
後藤 崇 GOTO Takashi; JP
岡本 敏宏 OKAMOTO Toshihiro; JP
竹谷 純一 TAKEYA Junichi; JP
代理人:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
優先権情報:
2015-15460804.08.2015JP
2015-16129918.08.2015JP
2016-15106901.08.2016JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR MATERIAL, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR COMPOSITION, COMPOUND, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, MATÉRIAU POUR TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUES, COMPOSITION POUR TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUES, COMPOSÉ, ET FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing: an organic thin-film transistor exhibiting excellent carrier mobility and having an organic semiconductor film produced by using a compound exhibiting excellent solubility in an organic solvent; a compound; an organic thin-film transistor material that uses said compound; an organic thin-film transistor composition; a method for producing the organic thin-film transistor; and an organic semiconductor film. The organic semiconductor film (organic semiconductor layer) in this organic thin-film transistor contains a compound that has a molecular weight of 3,000 or less and is represented by general formula (1) or general formula (2). In general formula (1) and general formula (2), one or more of R5-R8 are groups that are not hydrogen atoms.
(FR) La présente invention aborde le problème consistant à pourvoir à : un transistor à couches minces organiques présentant une excellente mobilité des porteurs et comportant un film semi-conducteur organique produit par utilisation d'un composé présentant une excellente solubilité dans un solvant organique ; un composé ; un matériau pour transistor à couches minces organiques qui utilise ledit composé ; une composition pour transistor à couches minces organiques ; un procédé de fabrication du transistor à couches minces organiques ; et un film semi-conducteur organique. Le film semi-conducteur organique (couche semi-conductrice organique) dans ce transistor à couches minces organiques contient un composé qui a un poids moléculaire inférieur ou égal à 3000 et est représenté par la formule générale (1) ou la formule générale (2). Dans la formule générale (1) et la formule générale (2), un ou plusieurs des éléments R5 à R8 sont des groupes qui ne sont pas des atomes d'hydrogène.
(JA) 本発明は、有機溶媒への溶解性に優れた化合物を用いて作製された有機半導体膜を有し、キャリア移動度に優れた有機薄膜トランジスタ、化合物、上記化合物を用いた有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法並びに有機半導体膜を提供することを課題とする。 本発明の有機薄膜トランジスタは、その有機半導体膜(有機半導体層)に下記一般式(1)又は一般式(2)で表され、且つ、分子量が3000以下である化合物を含有する。 一般式(1)及び一般式(2)において、R~Rのうち少なくとも1つ以上は、水素原子以外の基である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)