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1. (WO2017022700) 半導体記憶装置、及びその書込み方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/022700 国際出願番号: PCT/JP2016/072463
国際公開日: 09.02.2017 国際出願日: 01.08.2016
IPC:
G11C 16/02 (2006.01) ,G11C 16/06 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661, JP
発明者:
甲斐 芳英 KAI Yoshihide; JP
代理人:
金 順姫 JIN Shunji; JP
優先権情報:
2015-15508105.08.2015JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD OF WRITING THERETO
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE VERS CELUI-CI
(JA) 半導体記憶装置、及びその書込み方法
要約:
(EN) This semiconductor storage device comprises: a memory cell (121) that includes a control electrode (122), a floating electrode (123), a source (124), and a drain (125); a switch (30) for connecting the control electrode and the drain; a source driver (14) for applying a prescribed voltage to the source; a current source (20) for supplying a prescribed current to the source; a drain driver (16) for applying a prescribed voltage to the drain; a voltage measurement circuit (22) for measuring a voltage generated between the control electrode and the source; and a control electrode driver (18) for applying a prescribed voltage to the control electrode. When writing data to the memory cell, the voltage measurement circuit measures the voltage generated between the control electrode and the source when a prescribed current flows from the current source to the memory cell in a state where the switch is turned on, and on the basis of the measured voltage, the control electrode driver applies the controlled voltage to the control electrode.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage semiconducteur comprenant : une cellule de mémoire (121) qui comprend une électrode de commande (122), une électrode flottante (123), une source (124) et un drain (125) ; un commutateur (30) destiné à connecter l'électrode de commande et le drain ; un circuit d'attaque de source (14) destiné à appliquer une tension prescrite à la source ; une source de courant (20) destinée à délivrer un courant prescrit à la source ; un circuit d'attaque de drain (16) destiné à appliquer une tension prescrite au drain ; un circuit de mesure de tension (22) destiné à mesurer une tension générée entre l'électrode de commande et la source ; et un circuit d'attaque d'électrode de commande (18) destiné à appliquer une tension prescrite à l'électrode de commande. Lors de l'écriture de données vers la cellule de mémoire, le circuit de mesure de tension mesure la tension générée entre l'électrode de commande et la source lorsqu'un courant prescrit circule de la source de courant vers la cellule de mémoire dans un état où le commutateur est mis en circuit et, en se basant sur la tension mesurée, le circuit d'attaque d'électrode de commande applique la tension commandée à l'électrode de commande.
(JA) 半導体記憶装置は、制御電極(122)と、浮遊電極(123)と、ソース(124)と、ドレイン(125)と、を有するメモリセル(121)と、制御電極とドレインを接続するスイッチ(30)と、ソースに所定電圧を印加するソースドライバ(14)と、ソースに所定電流を供給する電流源(20)と、ドレインに所定電圧を印加するドレインドライバ(16)と、制御電極とソース間に生じる電圧を測定する電圧測定回路(22)と、制御電極に所定電圧を印加する制御電極ドライバ(18)と、を有する。メモリセルの書込み時に、電圧測定回路は、スイッチがオンされた状態で電流源からメモリセルに所定電流が流れた時に制御電極とソース間に生じる電圧を測定し、制御電極ドライバは、測定された電圧に基づいて制御された電圧を制御電極に印加する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20180108395