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1. (WO2017022647) ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/022647 国際出願番号: PCT/JP2016/072246
国際公開日: 09.02.2017 国際出願日: 29.07.2016
IPC:
C30B 29/04 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
04
ダイヤモンド
出願人:
アダマンド並木精密宝石株式会社 ADAMANT NAMIKI PRECISION JEWEL CO., LTD. [JP/JP]; 東京都足立区新田3丁目8番22号 8-22, Shinden 3-Chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511, JP
発明者:
会田 英雄 AIDA Hideo; JP
小山 浩司 KOYAMA Koji; JP
池尻 憲次朗 IKEJIRI Kenjiro; JP
金 聖祐 KIM Seongwoo; JP
菊地 祐貴 KIKUCHI Yuki; JP
優先権情報:
2015-15254531.07.2015JP
発明の名称: (EN) DIAMOND SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING DIAMOND SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE DIAMANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE DIAMANT
(JA) ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide: a substrate comprising diamond which is free-standing, in which warpage is suppressed, and variation in the angles of the crystal axis over the entire surface of the substrate is suppressed; and a method for producing the diamond substrate. [Solution] In the present invention, an underlying substrate is prepared and multiple columnar diamonds comprising diamond single crystals are formed on one side of the underlying substrate. The diamond single crystals are grown from the tip of each columnar diamond and the diamond single crystals grown from the tip of each columnar diamond are coalesced to form a diamond substrate layer which is separated from the underlying substrate to produce a diamond substrate from the diamond substrate layer. Thus, the difference between the highest portion and the lowest portion of the diamond substrate in the thickness direction is over 0 μm and 485 μm or less, and the variation in the angles of the crystal axis over the entire surface of the diamond substrate is over 0° and 3.00° or less.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de produire : un substrat contenant du diamant qui est autonome, dans lequel le gauchissement est supprimé, et la variation dans les angles de l'axe du cristal, sur toute la surface du substrat, est supprimée ; et un procédé de fabrication du substrat de diamant. La solution selon l’invention porte sur un substrat sous-jacent qui est préparé et de multiples diamants en forme de colonne consistant à former des monocristaux de diamant sur un côté du substrat sous-jacent. Les monocristaux de diamant sont mis en croissance à partir de la pointe de chaque diamant en forme de colonne et les monocristaux de diamant qui ont crû à partir de la pointe de chaque diamant en forme de colonne sont coalisés pour former une couche de substrat de diamant qui est séparée du substrat sous-jacent pour produire un substrat de diamant à partir de la couche de substrat de diamant. Ainsi, la différence entre la partie la plus élevée et la partie la plus basse du substrat de diamant, dans la direction de l'épaisseur, est supérieure à 0 µm et inférieure à 485 µm, et la variation dans les angles de l'axe du cristal sur toute la surface du substrat de diamant est supérieure à 0° et inférieure à 3,00°.
(JA) 【課題】ダイヤモンドからなる基板において、反り量の抑制に加えて、基板表面の全面に亘る結晶軸の角度ばらつきも抑制した、自立したダイヤモンド基板及びそのダイヤモンド基板を作製する方法を提供する。 【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の厚み方向における最高部と最低部との差分を、0μm超485μm以下とすると共に、ダイヤモンド基板の表面の全面に亘る結晶軸の角度のばらつきを、0°超3.00°以下とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN107923066EP3330414US20180190774