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1. (WO2017022577) 歪抵抗素子、圧力センサ、歪ゲージ、加速度センサおよび角速度センサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/022577 国際出願番号: PCT/JP2016/071924
国際公開日: 09.02.2017 国際出願日: 26.07.2016
IPC:
G01L 9/04 (2006.01) ,G01L 1/18 (2006.01) ,G01P 15/12 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
L
力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定
9
電気的または磁気的感圧素子による流体または流動性固体の定常圧または準定常圧の測定;流体または流動性固体の定常圧または準定常圧の測定に用いられる機械的感圧素子の変位の電気的または磁気的手段による伝達または指示
02
オーム抵抗の,例.ポテンショメータの,変化を利用するもの
04
抵抗ストレンゲージを使用するもの
G 物理学
01
測定;試験
L
力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定
1
力または応力の測定一般
18
圧抵抗物質,すなわち加えられた力の大きさまたは方向の変化に応じてオーム抵抗が変化する物質,の特性を利用するもの
G 物理学
01
測定;試験
P
直線速度または角速度,加速度,減速度または衝撃の測定;運動の有無の指示;運動の方向の指示
15
加速度の測定,減速度の測定;衝撃,すなわち加速度の急激な変化,の測定
02
慣性力の利用によるもの
08
電気値または磁気値への変換を伴うもの
12
電気抵抗の変化によるもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
部田 武志 TORITA, Takeshi; JP
芳井 義治 YOSHII, Yoshiharu; JP
野村 雅信 NOMURA, Masanobu; JP
中川原 修 NAKAGAWARA, Osamu; JP
檜貝 信一 HIGAI, Shinichi; JP
代理人:
河本 尚志 KAWAMOTO, Takashi; JP
優先権情報:
2015-15581106.08.2015JP
発明の名称: (EN) STRAIN RESISTANCE ELEMENT, PRESSURE SENSOR, STRAIN GAUGE, ACCELERATION SENSOR, AND ANGULAR VELOCITY SENSOR
(FR) ÉLÉMENT RÉSISTANT À LA CONTRAINTE, CAPTEUR DE PRESSION, JAUGE DE CONTRAINTE, CAPTEUR D'ACCÉLÉRATION, ET CAPTEUR DE VITESSE ANGULAIRE
(JA) 歪抵抗素子、圧力センサ、歪ゲージ、加速度センサおよび角速度センサ
要約:
(EN) Provided is a strain resistance element having a large gauge factor and high detection sensitivity. The present invention is provided with: a substrate (an SOI substrate 5 including a Si substrate 1, a SiO2 layer 2, a surface Si film 3, and a SiO2 layer 4); and a strain resistance film 8 formed on a surface of the substrate, wherein the strain resistance film 8 is formed of a film of graphene or a transition metal dichalcogenide having a single-atom layer thickness or a multi-atom layer thickness. A pressure sensor, a strain gauge, an acceleration sensor, an angular velocity sensor, etc. can be manufactured by using the strain resistance element.
(FR) L'invention concerne un élément résistant à la contrainte qui possède un grand facteur de jauge et une sensibilité de détection élevée. La présente invention comprend : un substrat (un substrat en SOI (5) comprenant un substrat en Si (1), une couche de SiO2 (2), un film en Si de surface (3), et une couche en SiO2 (4)) ; et un film de résistance à la contrainte (8) formé sur une surface du substrat. Le film de résistance à la contrainte (8) est constitué d'un film en graphène ou d'un dichalcogénure de métal de transition ayant une épaisseur de couche d'un atome unique ou épaisseur de couche de plusieurs atomes. Un capteur de pression, une jauge de contrainte, un capteur d'accélération, un capteur de vitesse angulaire, etc. peuvent être fabriqués en utilisant l'élément résistant à la contrainte.
(JA) ゲージ率が高く、検出感度の高い歪抵抗素子を提供する。 基材(Si基板1、SiO層2、表面Si膜3、SiO層4からなるSOI基板5)と、基材の表面に形成された歪抵抗膜8と、を備え、歪抵抗膜8を、グラフェン、または、遷移金属ダイカルコゲナイトが、単原子層厚み、または、複数原子層厚み、成膜されたものとした。このような歪抵抗素子を使用して、圧力センサ、歪ゲージ、加速度センサ、角速度センサなどを作製することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)