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1. (WO2017022451) 固体撮像装置および電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/022451 国際出願番号: PCT/JP2016/070934
国際公開日: 09.02.2017 国際出願日: 15.07.2016
IPC:
H04N 5/351 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/343 (2011.01) ,H04N 5/357 (2011.01) ,H04N 5/363 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
351
シーン,例.シーンにおける動きまたは輝度,に依存した固体撮像素子の制御に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
341
走査回路の制御による固体撮像素子からの画素データの取得に特徴のあるもの,例.画素数の変更
343
解像度若しくはアスペクト比が異なる動作モード間での切替え,例.静止画モードおよび動画モード間,または,インターレースモードおよびノンインターレースモード間
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
363
リセットノイズに対して適用されるもの,例.KTCノイズ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
田代 睦聡 TASHIRO Yoshiaki; JP
坂野 頼人 SAKANO Yorito; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
優先権情報:
2015-15161831.07.2015JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置および電子機器
要約:
(EN) The present disclosure pertains to a solid-state imaging device and an electronic device which are capable of improving the performance of a solar cell mode logarithmic sensor. After a signal (S) is read out, a p-phase signal (N) is read out in a conductive state in which RST is on, and a p-phase signal (N') is read out in a non-conductive state in which RST is off. Thus, when an incident light illuminance is sufficient (Bright), S-N is selected and outputted which is a difference from the p phase acquired in the conductive state in which RST is on. When capacity charge is insufficient under a low illuminance condition in which incident light is less (Dark), S-N' is selected and outputted which is a difference from the p phase acquired in the conductive state in which RST is off. The present disclosure is applicable to CMOS solid-state imaging devices used as imaging devices such as cameras, for example.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et un dispositif électronique qui permettent d'améliorer la performance d'un détecteur logarithmique en mode cellule solaire. Après lecture d'un signal (S), un signal de phase p (N) est lu dans un état conducteur dans lequel RST est sous tension, et un signal de phase p (N') est lu dans un état non conducteur dans lequel RST est hors tension. Ainsi, lorsqu'un éclairage de lumière incidente est suffisant (lumineux), S-N est sélectionné et émis, qui correspond à une différence par rapport à la phase p acquise à l'état conducteur dans lequel RST est sous tension. Lorsqu'une charge de capacité est insuffisante dans une condition de faible éclairage dans laquelle la lumière incidente est inférieure (sombre), S-N' est sélectionné et émis, qui correspond à une différence par rapport à la phase p acquise à l'état conducteur dans lequel RST est hors tension. La présente invention est applicable à des dispositifs d'imagerie à semi-conducteurs CMOS utilisés en tant que dispositifs d'imagerie, tels que des appareils de prise de vues, par exemple.
(JA) 本開示は、太陽電池モードの対数センサの性能を向上させることができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。 Signal(S)を読み出したあと、RSTをオンにした導通状態で、P相信号(N)が読み出され、RSTをオフにした非導通状態で、P相信号(N')が読み出される。したがって、十分な入射光照度がある場合(Bright)、RSTをオンにした導通状態で取得したP相との差分であるS-Nが選択されて出力され、入射光が少ない低照度条件において容量の充電が不十分な場合(Dark)、RSTをオフにした導通状態で取得したP相との差分であるS-N'が選択されて出力される。本開示は、例えば、カメラなどの撮像装置に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20190098236