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1. (WO2017018434) バイオセンサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/018434 国際出願番号: PCT/JP2016/071958
国際公開日: 02.02.2017 国際出願日: 27.07.2016
IPC:
G01N 27/414 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
26
電気化学的変量の調査によるもの;電解または電気泳動の利用によるもの
403
セルと電極の組合せ
414
イオン感応性または化学的電界効果トランジスタ,例.ISFETSまたはCHEMFETS
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
東名 敦志 TOMYO Atsushi; --
代理人:
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
優先権情報:
2015-15092930.07.2015JP
発明の名称: (EN) BIOSENSOR
(FR) BIOCAPTEUR
(JA) バイオセンサ
要約:
(EN) In a biosensor using a thin-film transistor including a semiconductor film made of an oxide semiconductor, the observation of a biologically derived substance with an optical microscope is made possible while making it easy to assess the relationship between the state of the biologically derived substance and a change in electrical characteristics of the thin-film transistor. This biosensor (10) comprises a thin-film transistor (12) and a semiconductor layer (14). The semiconductor layer is formed in a different region on a substrate from a channel layer (22) of the thin-film transistor. The semiconductor layer is made of the same material as the channel layer. As viewed from the normal direction to the substrate, a first region (32) is formed in the channel layer, and a second region (34) is formed in the semiconductor layer. The first region is a region to which a biologically derived substance adheres, and that affects the electrical characteristics of the thin-film transistor. The second region is a region that is made of the same material as the first region, and in which the adhering biologically derived substance can be observed with an optical microscope from the substrate side.
(FR) L'invention concerne un biocapteur utilisant un transistor à couches minces comprenant un film semi-conducteur constitué d'un semi-conducteur à oxyde, rendant possible l'observation d'une substance d'origine biologique au moyen d'un microscope optique tout en lui permettant d'évaluer facilement la relation entre l'état de la substance d'origine biologique et une variation des caractéristiques électriques du transistor à couches minces. Le présent biocapteur (10) comprend un transistor à couches minces (12) et une couche semi-conductrice (14). La couche semi-conductrice est formée dans une région différente d'un substrat d'une couche de canal (22) du transistor à couches minces. La couche semi-conductrice est constituée du même matériau que la couche de canal. Tel que vu dans la direction normale au substrat, une première région (32) est formée dans la couche de canal, et une seconde région (34) est formée dans la couche semi-conductrice. La première région est une région à laquelle adhère une substance d'origine biologique, et qui influence les caractéristiques électriques du transistor à couches minces. La seconde région est une région qui est constituée du même matériau que la première région, et dans laquelle la substance d'origine biologique adhérant peut être observée au moyen d'un microscope optique depuis le côté substrat.
(JA) 酸化物半導体からなる半導体膜を有する薄膜トランジスタを用いたバイオセンサにおいて、光学顕微鏡を用いた生体由来物質の観察を実現しつつ、薄膜トランジスタの電気的特性の変化と生体由来物質の状態との関係を判り易くする。バイオセンサ(10)は、薄膜トランジスタ(12)と、半導体層(14)とを備える。半導体層は、基板上で薄膜トランジスタが有するチャネル層(22)とは異なる領域に形成されている。半導体層は、チャネル層と同じ材料からなる。基板の法線方向から見て、チャネル層内には、第1領域(32)が形成されており、半導体層内には、第2領域(34)が形成されている。第1領域は、生体由来物質を付着させて、薄膜トランジスタの電気的特性に影響を与える領域である。第2領域は、第1領域と同じ材料からなり、付着した生体由来物質を基板側から光学顕微鏡で観察可能な領域である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)