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1. (WO2017018402) ターゲット材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/018402 国際出願番号: PCT/JP2016/071807
国際公開日: 02.02.2017 国際出願日: 26.07.2016
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C22C 27/04 (2006.01) ,B22F 3/14 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
27
レニウムまたはグループ14/00もしくは16/00において述べられていない耐火金属を基とする合金
04
タングステンまたはモリブデンを基とする合金
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
3
成形または焼結方法に特徴がある金属質粉からの工作物または物品の製造;特にそのために適した装置
12
成形と焼結の両者を特徴とするもの
14
両者を同時に行なうもの
出願人:
日立金属株式会社 HITACHI METALS,LTD. [JP/JP]; 東京都港区港南一丁目2番70号 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224, JP
発明者:
上灘 真史 KAMINADA,Masashi; JP
斉藤 和也 SAITOH, Kazuya; JP
玉田 悠 TAMADA, Yuu; JP
上野 英 UENO, Hide; JP
優先権情報:
2015-14757527.07.2015JP
発明の名称: (EN) TARGET MATERIAL
(FR) MATÉRIAU CIBLE
(JA) ターゲット材
要約:
(EN) The present invention provides a target material which suppresses contamination of a gate electrode during sputtering and which is used to form a gate electrode capable of achieving stable TFT characteristics. This target material contains a total of 50 atom% or more of one or more elements M selected from among the group consisting of W, Nb, Ta, Ni, Ti and Cr, with the remainder comprising Mo and unavoidable impurities, wherein the content of K, which is one of the unavoidable impurities, is preferably 0.4-20.0 ppm by mass and the content of W as element M is preferably 10-50 atom%.
(FR) La présente invention concerne un matériau cible qui met fin à la contamination d'une électrode de grille pendant une pulvérisation et qui est utilisé pour former une électrode de grille pouvant présenter des caractéristiques de TFT stables. Le matériau cible d'après la présente invention contient un total supérieur ou égal à 50 % atomique d'un ou plusieurs éléments M sélectionnés dans le groupe constitué de W, Nb, Ta, Ni, Ti et Cr, le reste contenant du Mo et les inévitables impuretés. La teneur en K, qui est une des inévitables impuretés, est de préférence comprise entre 0,4 et 20,0 ppm en masse. La teneur en W, à titre d'élément M, est de préférence comprise entre 10 et 50 % atomique.
(JA) スパッタリング時のゲート電極の汚染を抑制し、且つ安定したTFT特性が得られるゲート電極を形成するためのターゲット材を提供する。 W、Nb、Ta、Ni、Ti、Crからなる群から選択される一または二以上の元素Mを合計で50原子%以下含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなるターゲット材において、不可避的不純物の一つであるKが0.4~20.0質量ppmであり、前記元素MとしてWを10~50原子%含有することが好ましい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020180022935US20180209034CN107849689