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1. (WO2017018129) 積層配線の形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/018129 国際出願番号: PCT/JP2016/069687
国際公開日: 02.02.2017 国際出願日: 01.07.2016
IPC:
H05K 3/10 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H05K 1/03 (2006.01) ,H05K 3/40 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
10
導電性物質が希望する導電模様を形成するように絶縁支持部材に施されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
03
基体用材料の使用
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
40
印刷回路への,または印刷回路間の電気的接続のための印刷要素の形成
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
浜口 仁 HAMAGUCHI Hitoshi; JP
田中 健朗 TANAKA Kenrou; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2015-14905128.07.2015JP
発明の名称: (EN) LAYERED WIRING FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CÂBLAGE EN COUCHES
(JA) 積層配線の形成方法
要約:
(EN) Provided is a layered wiring forming method that enables forming of layered wiring, efficiently. The present invention is a layered wiring forming method comprising: a step for preparing a substrate having a first conductive layer as the outermost layer; a step for forming, on the surface of the substrate, an insulation film having a liquid-phobic surface region and a liquid-philic surface region; and a step for forming a second conductive layer layered on the liquid-philic surface region of the insulation film by causing a second conductive layer forming material to make contact with the surface of the insulation film, wherein the step for forming the insulation film comprises a step for forming an insulative coating film having a liquid-phobic surface, by means of an insulation film forming composition containing a first acid generator and a first polymer having an acid-dissociable group, and a step for forming the liquid-philic surface region on one portion of the surface region of the insulative coating film.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de câblage en couches qui permet de former efficacement un câblage en couches. La présente invention est un procédé de formation de câblage en couches comprenant : une étape de préparation d'un substrat ayant une première couche conductrice comme couche la plus à l'extérieur ; une étape de formation, sur la surface du substrat, d'un film d'isolation ayant une région à surface repoussant un liquide et une région à surface attirant un liquide ; et une étape de formation d'une deuxième couche conductrice déposée en couches sur la région à surface attirant un liquide du film d'isolation en amenant un matériau formant une deuxième couche conductrice à entrer en contact avec la surface du film d'isolation. L'étape de formation du film d'isolation comprend une étape de formation d'un film de revêtement isolant ayant une surface repoussant un liquide, au moyen d'une composition de formation d'un film d'isolation contenant un premier générateur d'acide et un premier polymère ayant un groupe dissociable à l'acide, et une étape de formation de la région à surface attirant un liquide sur une portion de la région de surface du film de revêtement isolant.
(JA) 効率的に積層配線を形成することができる積層配線の形成方法を提供する。本発明は、第1導電層を最表層に有する基材を用意する工程、上記基材の表面に、撥液性表面領域と親液性表面領域とを有する絶縁膜を形成する工程、及び上記絶縁膜の表面への第2導電層形成用材料の接触により、上記絶縁膜の親液性表面領域へ積層される第2導電層を形成する工程を備え、上記絶縁膜形成工程が、酸解離性基を有する第1重合体と第1酸発生体とを含む絶縁膜形成用組成物により、撥液性の表面を有する絶縁塗膜を形成する工程、及び上記絶縁塗膜の一部の表面領域に上記親液性表面領域を形成する工程を備える積層配線の形成方法である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2017018129