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1. (WO2017014237) パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/014237 国際出願番号: PCT/JP2016/071283
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 20.07.2016
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 1/05 (2006.01) ,H05K 7/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
03
基体用材料の使用
05
絶縁金属基体
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
7
異なる型の電気装置に共通の構造的細部
20
冷却,換気または加熱を容易にするための変形
出願人:
住友ベークライト株式会社 SUMITOMO BAKELITE CO., LTD. [JP/JP]; 東京都品川区東品川2丁目5番8号 5-8, Higashi-Shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002, JP
発明者:
望月 俊佑 MOCHIZUKI Shunsuke; JP
北川 和哉 KITAGAWA Kazuya; JP
白土 洋次 SHIRATO Yoji; JP
長橋 啓太 NAGAHASHI Keita; JP
津田 美香 TSUDA Mika; JP
馬路 哲 MAJI Satoshi; JP
代理人:
速水 進治 HAYAMI Shinji; JP
優先権情報:
2015-14605123.07.2015JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE FOR POWER MODULES, CIRCUIT BOARD FOR POWER MODULES, AND POWER MODULE
(FR) SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ POUR MODULES DE PUISSANCE, ET MODULE DE PUISSANCE
(JA) パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
要約:
(EN) This substrate (100) for power modules is provided with a metal substrate (101), an insulating resin layer (102) that is arranged on the metal substrate (101), and a metal layer (103) that is arranged on the insulating resin layer (102). The insulating resin layer (102) contains a thermosetting resin (A) and an inorganic filler (B) that is dispersed in the thermosetting resin (A). The insulating resin layer (102) has a maximum value of the dielectric loss of 0.030 or less at a frequency of 1 kHz from 100°C to 175°C, while having a dielectric constant change of 0.10 or less.
(FR) La présente invention concerne un substrat (100) pour modules de puissance, qui comprend un substrat métallique (101), une couche de résine isolante (102) qui est disposée sur le substrat métallique (101), et une couche de métal (103) qui est disposée sur la couche de résine isolante (102). La couche de résine isolante (102) contient une résine thermodurcissable (A) et une charge inorganique (B) qui est dispersée dans la résine thermodurcissable (A). La couche de résine isolante (102) présente une valeur maximale de pertes diélectriques inférieure ou égale à 0,030 à une fréquence de 1 kHz de 100 °C à 175 °C, tout en présentant une variation de constante diélectrique inférieure ou égale à 0,10.
(JA) 本発明のパワーモジュール用基板(100)は、金属基板(101)と、金属基板(101)上に設けられた絶縁樹脂層(102)と、絶縁樹脂層(102)上に設けられた金属層(103)とを備える。絶縁樹脂層(102)は、熱硬化性樹脂(A)と、熱硬化性樹脂(A)中に分散された無機充填材(B)とを含み、周波数1kHz、100℃~175℃における絶縁樹脂層(102)の誘電損失率の最大値が0.030以下であり、かつ、比誘電率の変化が0.10以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)