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1. (WO2017014191) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びレジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法
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国際公開番号: WO/2017/014191 国際出願番号: PCT/JP2016/071018
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 15.07.2016
IPC:
C07D 233/64 (2006.01) ,C07D 405/04 (2006.01) ,C08G 8/36 (2006.01) ,C08G 16/00 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
233
他の環と縮合していない1,3―ジアゾール環または水素添加した1,3―ジアゾールからなる複素環式化合物
54
環原子相互間または環原子と非環原子間に2個の二重結合を有するもの
64
環の炭素原子に結合する置換された炭化水素基を有するもの,例.ヒスチジン
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
405
異項原子として酸素原子のみをもつ1個以上の複素環と,異項原子として窒素のみをもつ1個以上の環を含有する複素環式化合物
02
2個の複素環を含有するもの
04
環原子―環原子結合により直接結合しているもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
8
アルデヒドまたはケトンのフェノールのみとの重縮合体
28
化学的に変性された重縮合物
36
エーテル化によるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
16
アルデヒドまたはケトンの,グループC08G4/00からC08G14/00に属さない単量体との重縮合体
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.[JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者: OKADA, Kana; JP
HORIUCHI, Junya; JP
MAKINOSHIMA, Takashi; JP
ECHIGO, Masatoshi; JP
代理人: INABA, Yoshiyuki; JP
優先権情報:
2015-14501022.07.2015JP
発明の名称: (EN) COMPOUND, RESIN, UNDERLAYER FILM FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, RESIST PATTERN FORMING METHOD, CIRCUIT PATTERN FORMING METHOD, AND PURIFICATION METHOD
(FR) COMPOSÉ, RÉSINE, MATÉRIAU DE FORMATION DE FILM FORMANT SOUS-COUCHE POUR LITHOGRAPHIE, COMPOSITION POUR FORMER UN FILM FORMANT SOUS-COUCHE POUR LITHOGRAPHIE, FILM FORMANT SOUS-COUCHE POUR LITHOGRAPHIE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE CIRCUIT, ET PROCÉDÉ DE PURIFICATION
(JA) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びレジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法
要約:
(EN) A compound or resin represented by formula (1). (In formula (1), each X independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or the absence of crosslinking; each R1 independently represents a group selected from the group consisting of a halogen group, a cyano group, a nitro group, an amino group, a hydroxyl group, a thiol group, a heterocyclic group, an alkyl group having 1-30 carbon atoms, an alkenyl group having 2-30 carbon atoms, an aryl group having 6-40 carbon atoms and combinations thereof, and in this connection, the alkyl group, the alkenyl group and the aryl group may contain an ether bond, a ketone bond or an ester bond; each R2 independently represents an alkyl group having 1-30 carbon atoms, an aryl group having 6-40 carbon atoms, an alkenyl group having 2-30 carbon atoms, a thiol group or a hydroxyl group, and in this connection, at least one of the R2 moieties represents a group containing a hydroxyl group or a thiol group; each m independently represents an integer of 0-7 (and in this connection, at least one of the m moieties represents an integer of 1-7); each p independently represents 0 or 1; q represents an integer of 0-2; and n represents 1 or 2.)
(FR) Composé ou résine représenté(e) par la formule (1). Dans la formule (1), chaque X représente indépendamment un atome d'oxygène, un atome de soufre ou l'absence de réticulation; chaque R1 représente indépendamment un groupe choisi dans le groupe constitué d'un groupe halogène, d'un groupe cyano, d'un groupe nitro, d'un groupe amino, d'un groupe hydroxyle, d'un groupe thiol, d'un groupe hétérocyclique, d'un groupe alkyle ayant de 1 à 30 atomes de carbone, d'un groupe alcényle ayant de 2 à 30 atomes de carbone, d'un groupe aryle ayant de 6 à 40 atomes de carbone et de combinaisons de ceux-ci, le groupe alkyle, le groupe alcényle et le groupe aryle pouvant contenir une liaison éther, une liaison cétone ou une liaison ester ; chaque R2 représente indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 30 atomes de carbone, un groupe aryle ayant de 6 à 40 atomes de carbone, un groupe alcényle ayant de 2 à 30 atomes de carbone, un groupe thiol ou un groupe hydroxyle, au moins une des fractions R2 représentant un groupe contenant un groupe hydroxyle ou un groupe thiol ; chaque m représente indépendamment un nombre entier compris entre 0 et 7, (au moins une des fractions m représentant indépendamment un nombre entier compris entre 1 et 7); chaque p représente indépendamment 0 ou 1 ; q représente un nombre entier compris entre 0 et 2 ; et n représente 1 ou 2.
(JA) 下記式(1)で表される化合物又は樹脂。 (式(1)中、Xは、各々独立して、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であることを示し、Rは、各々独立して、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、チオール基、複素環基、炭素原子数1~30のアルキル基、炭素原子数2~30のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、該アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、Rは、各々独立して、炭素数1~30のアルキル基、炭素数6~40のアリール基、炭素数2~30のアルケニル基、チオール基又は水酸基であり、ここで、Rの少なくとも1つは水酸基又はチオール基を含む基であり、mは、各々独立して、0~7の整数であり(ここで、mの少なくとも1つは1~7の整数である。)、pは各々独立して0又は1であり、qは0~2の整数であり、nは1又は2である。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)