このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2017014179) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/014179 国際出願番号: PCT/JP2016/070979
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 15.07.2016
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋二丁目15番12号 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
発明者:
田邊 潤一 TANABE, Junichi; JP
堀井 貞義 HORII, Sadayoshi; JP
板谷 秀治 ITATANI, Hideharu; JP
高崎 唯史 TAKASAKI, Tadashi; JP
優先権情報:
2015-14290117.07.2015JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
要約:
(EN) Provided is a feature of a rotating-type device wherein plasma can be fed uniformly onto a substrate surface. This invention is provided with: a substrate placement platform rotatably provided in a treatment chamber, a plurality of substrates being placed on the substrate placement platform along the rotation direction; a first treatment region, a second treatment region, and a third treatment region provided in the treatment chamber; a gas feed unit for feeding a first element-containing gas to the first treatment region; a first plasma generation unit provided in the second treatment region, the first plasma generation unit having a first electrode for subjecting a second element-containing gas to plasma excitation; and a second plasma generation unit provided in the third treatment region, the second plasma generation unit having a second electrode for subjecting the second element-containing gas to plasma excitation. The first electrode and the second electrode are provided at different positions in the radial direction of the substrate placement platform.
(FR) L'invention concerne une caractéristique d'un dispositif de type rotatif permettant de fournir du plasma uniformément sur une surface de substrat. Cette invention est pourvue : d'une plate-forme de placement de substrat disposée rotative dans une chambre de traitement, une pluralité de substrats étant placés sur la plate-forme de placement de substrat dans le sens de rotation ; d'une première région de traitement, d'une deuxième région de traitement, et d'une troisième région de traitement disposées dans la chambre de traitement ; d'une unité d'alimentation en gaz permettant de fournir un gaz contenant un premier élément à la première région de traitement ; d'une première unité de génération de plasma disposée dans la deuxième région de traitement, la première unité de génération de plasma comportant une première électrode permettant de soumettre un gaz contenant un second élément à une excitation de plasma ; et d'une seconde unité de génération de plasma disposée dans la troisième région de traitement, la seconde unité de génération de plasma comportant une seconde électrode permettant de soumettre le gaz contenant un second élément à une excitation de plasma. La première électrode et la seconde électrode sont disposées à différentes positions dans la direction radiale de la plate-forme de placement de substrat.
(JA) 回転型装置において基板面上へ均一にプラズマを供給可能とする技術を提供する。 処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の基板が載置される基板載置台と、処理室内に設けられた第1の処理領域、第2の処理領域、及び第3の処理領域と、第1の処理領域に第1元素含有ガスを供給するガス供給部と、第2の処理領域に設けられ、第2元素含有ガスをプラズマ励起する第1の電極を有する第1のプラズマ生成部と、第3の処理領域に設けられ、第2元素含有ガスをプラズマ励起する第2の電極を有する第2のプラズマ生成部と、を備え、第1の電極と第2の電極は、基板載置台の半径方向において互いに異なる位置に設けられる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)