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1. (WO2017014168) 窒化ケイ素焼結体およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/014168    国際出願番号:    PCT/JP2016/070927
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 15.07.2016
IPC:
C04B 35/584 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
発明者: KATSURAGI, Yuka; (JP).
AWATA, Hideaki; (JP).
MIYANAGA, Miki; (JP).
ONOKI, Takamasa; (JP).
SEKIYA, Takashi; (JP).
OGUNI, Hideyuki; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2015-143716 21.07.2015 JP
発明の名称: (EN) SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CORPS FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 窒化ケイ素焼結体およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A silicon nitride sintered body that contains silicon nitride, yttrium, magnesium and oxygen, and also contains a plurality of silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase which constitutes a portion thereof other than the silicon nitride crystal grains, wherein: the grain boundary phase contains a Y20N4Si12O48 crystal phase, or the Y20N4Si12O48 crystal phase and a Y2Si3N3O4 crystal phase; and the ratio of the X-ray diffraction peak intensity of the (211) plane of the Y2Si3N3O4 crystal phase to the X-ray diffraction peak intensity of the (112) plane of the Y20N4Si12O48 crystal phase is 0 to 3.0, inclusive. As a result, the present invention provides a silicon nitride sintered body that exhibits high thermal conductivity and is favorable for use as a semiconductor device substrate or the like.
(FR)Le corps fritté de nitrure de silicium de l'invention contient un nitrure de silicium, un yttrium, un magnésium et un oxygène, et contient en outre une pluralité de particules cristallines de nitrure de silicium, et une phase de joint de grains consistant en la portion en dehors des particules cristallines de nitrure de silicium. La phase de joint de grains contient une phase cristalline Y204Si1248 ou une phase cristalline Y204Si1248 et une phase cristalline Y2Si334. Le rapport de l'intensité d'un pic de diffraction aux rayons X dû à un plan (211) de la phase cristalline Y2Si334, vis-à-vis de l'intensité d'un pic de diffraction aux rayons X dû à un plan (112) de la phase cristalline Y204Si1248, est supérieur ou égal à 0 et inférieur ou égal à 3,0. Ainsi, l'invention fournit un corps fritté de nitrure de silicium qui permet une mise en œuvre de manière adéquate dans un substrat de dispositif à semi-conducteurs, ou similaire.
(JA)窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素、イットリウム、マグネシウムおよび酸素を含み、また、複数の窒化ケイ素結晶粒子と、窒化ケイ素結晶粒子以外の部分である粒界相と、を含み、粒界相は、Y204Si1248結晶相、あるいは、Y204Si1248結晶相およびY2Si334結晶相、を含み、Y204Si1248結晶相の(112)面に起因するX線回折ピークの強度に対するY2Si334結晶相の(211)面に起因するX線回折ピークの強度の比が0以上3.0以下である。これにより、半導体デバイスの基板などに好適に用いることができる、高い熱伝導率を有する窒化ケイ素焼結体が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)