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1. (WO2017014100) 発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/014100    国際出願番号:    PCT/JP2016/070515
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 12.07.2016
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01)
出願人: SCIVAX CORPORATION [JP/JP]; #2007 NANOBIC, 7-7 Shinkawasaki, Saiwai-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2120032 (JP)
発明者: SUZAKI Yasumasa; (JP).
NAWATA Akifumi; (JP).
TANAKA Satoru; (JP)
代理人: OKUDA Noritsugu; (JP)
優先権情報:
2015-143398 17.07.2015 JP
2015-195946 01.10.2015 JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子
要約: front page image
(EN)Provided is an optical element with a light extraction efficiency increased through the use of an irregular structure mainly providing an optical diffraction effect than scattering effect. A light emitting element is provided with: a laminate portion 8 in which at least a semiconductor layer including a light emitting layer 84 is laminated; and a diffraction surface 2 which is formed in a boundary of any of layers included in the laminate portion 8 and which includes an irregular structure formed so as to reflect incident light emitted from the light emitting layer 84 according to a Bragg's condition of diffraction. The light emitting element is characterized in that the irregular structure is formed such that the inclination of a side wall of a protruding portion with respect to the diffraction surface 2 is more than 75 degrees.
(FR)La présente invention concerne un élément optique présentant une efficacité d'extraction de lumière accrue grâce à l'utilisation d'une structure irrégulière offrant plutôt un effet de diffraction optique qu'un effet de diffusion. Un élément électroluminescent est pourvu : d'une partie stratifiée (8) où est stratifiée au moins une couche semi-conductrice comprenant une couche électroluminescente (84) ; et une surface de diffraction (2) qui est formée à une limite de l'une quelconque des couches comprises dans la partie stratifiée (8) et qui comprend une structure irrégulière formée de sorte à réfléchir la lumière incidente émise depuis la couche électroluminescente (84) selon une condition de diffraction de Bragg. L'élément électroluminescent est caractérisé en ce que la structure irrégulière est formée de telle sorte que l'inclinaison d'une paroi latérale d'une partie en saillie par rapport à la surface de diffraction (2) soit supérieure à 75 degrés.
(JA)光の散乱効果よりも回折効果を主とした凹凸構造を用いることにより、光取出効率を向上した光学素子を提供する。発光層84を含む半導体層が少なくとも積層された積層部8と、積層部8に含まれる層のいずれかの境界に形成され、発光層84から発せられる入射光をブラッグの回折条件に従って反射するように形成された凹凸構造を有する回折面2と、を具備し、凹凸構造は、回折面2に対する凸部の側壁の傾きが75度より大きく形成されたものであることを特徴とする発光素子。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)