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1. WO2017014094 - 窒化物半導体発光素子

公開番号 WO/2017/014094
公開日 26.01.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/070451
国際出願日 11.07.2016
IPC
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
H01L 33/36 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
CPC
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
出願人
  • スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 小幡 俊之 OBATA, Toshiyuki
代理人
  • 前田・鈴木国際特許業務法人 MAEDA & SUZUKI
優先権情報
2015-14341117.07.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
要約
(EN)
[Problem] To provide a technique for suppressing decrease of the luminous efficiency of a semiconductor element having a mesa structure by suppressing concentration of electric current flowing between a p electrode and an n electrode in a region near the mesa end. [Solution] A group III nitride semiconductor element which comprises an active layer between an n-type layer and a p-type layer and has a mesa structure containing the p-type layer, and which comprises an n electrode on the n-type layer and a p electrode on the p-type layer, said p electrode being obtained by sequentially laminating a first metal layer, a conductive layer and a second metal layer in this order. The resistivity of the conductive layer is higher than the resistivity of the first metal layer.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une technique visant à supprimer une diminution de l'efficacité lumineuse d'un élément semi-conducteur comportant une structure mesa, par une suppression de la concentration du courant électrique s'écoulant entre une électrode p et une électrode n dans une région proche de l'extrémité mesa. La solution de l'invention porte sur un élément semi-conducteur au nitrure du groupe III, qui comprend une couche active entre une couche de type n et une couche de type p et présente une structure mesa contenant la couche de type p ; et qui comprend une électrode n sur la couche de type n et une électrode p sur la couche de type p, ladite électrode p étant obtenue par la stratification séquentielle d'une première couche métallique, d'une couche conductrice et d'une seconde couche métallique, dans cet ordre. La résistivité de la couche conductrice est supérieure à celle de la première couche métallique.
(JA)
【課題】 メサ構造を有する半導体素子において、p電極とn電極との間に流れる電流がメサ端付近の領域に集中するのを抑制することにより、発光効率の低下を抑制する技術を提供する。 【解決手段】 n型層とp型層との間に活性層を含み、前記p型層を含むメサ構造を有するIII族窒化物半導体素子であって、前記n型層上にn電極、前記p型層上に、第一金属層、導電層、および第二金属層がこの順に積層されているp電極を有し、前記導電層の比抵抗が、前記第一金属層の比抵抗よりも高いIII族窒化物半導体素子。
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