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1. (WO2017013988) ウェットエッチング方法及びエッチング液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/013988 国際出願番号: PCT/JP2016/068456
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 22.06.2016
IPC:
H01L 21/308 (2006.01) ,C23F 1/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
発明者:
八尾 章史 YAO, Akifumi; JP
山内 邦裕 YAMAUCHI, Kunihiro; JP
藤原 昌生 FUJIWARA, Masaki; JP
宮崎 達夫 MIYAZAKI, Tatsuo; JP
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
優先権情報:
2015-14548723.07.2015JP
発明の名称: (EN) WET ETCHING METHOD AND ETCHING SOLUTION
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE ET SOLUTION D'ATTAQUE
(JA) ウェットエッチング方法及びエッチング液
要約:
(EN) A wet etching method for etching a metal-containing film on a substrate using an etching solution, wherein the wet etching method is characterized in that the etching solution is an organic solvent solution of a β-diketone in which a trifluoromethyl group and a carbonyl group are bonded, and the metal-containing film contains a metal element capable of forming a complex with the β-diketone.
(FR) L'invention porte sur un procédé de gravure humide pour graver un film contenant du métal sur un substrat à l'aide d'une solution d'attaque, le procédé de gravure humide étant caractérisé en ce que la solution d'attaque est une solution de solvant organique d'une β-dicétone dans laquelle un groupe trifluorométhyle et un groupe carbonyle sont liés, et le film contenant du métal contient un élément métallique susceptible de former un complexe avec la β-dicétone.
(JA) 基板上の金属含有膜を、エッチング液を用いてエッチングするウェットエッチング方法であって、前記エッチング液が、トリフルオロメチル基とカルボニル基が結合したβ-ジケトンの有機溶媒溶液であって、前記金属含有膜が前記β-ジケトンと錯体を形成可能な金属元素を含むことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)