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1. (WO2017013924) 撮像装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/013924    国際出願番号:    PCT/JP2016/063675
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 06.05.2016
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Asahicho 4-chome, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: UCHIDA Shiro; (JP).
HONJO Akiko; (JP).
WATANABE Tomomasa; (JP).
ABE Hideshi; (JP)
代理人: YAMAMOTO Takahisa; (JP)
優先権情報:
2015-144594 22.07.2015 JP
発明の名称: (EN) IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 撮像装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)An imaging device wherein: a plurality of light-receiving elements 10 are arranged in a two-dimensional matrix shape; each light-receiving element 10 comprises a first electrode 31, a photoelectric conversion layer 20, and a second electrode 32; the photoelectric conversion layer 20 has a laminated structure in which a first compound semiconductor layer 21 having a first type of electrical conductivity, and a second compound semiconductor layer 22 having a second type of electrical conductivity that is the reverse type of electrical conductivity from the first type of electrical conductivity, are laminated from the first electrode side; the second compound semiconductor layer is removed in regions 11 between the light-receiving elements 10; the first electrode 31 and the first compound semiconductor layer 21 are shared among the light-receiving elements; and the impurity concentration of the first compound semiconductor layer 21A in the vicinity of the first electrode is lower than the impurity concentration of the first compound semiconductor layer 21B in the vicinity of the second compound semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie dans lequel : une pluralité d'éléments de réception de lumière 10 sont agencés sous forme de matrice bidimensionnelle ; chaque élément de réception de lumière 10 comprend une première électrode 31, une couche de conversion photoélectrique 20, et une seconde électrode 32 ; la couche de conversion photoélectrique 20 a une structure stratifiée dans laquelle une première couche semi-conductrice composée 21 ayant un premier type de conductivité électrique, et une seconde couche semi-conductrice composée 22 ayant un second type de conductivité électrique qui est le type inverse de conductivité électrique du premier type de conductivité électrique, sont stratifiées depuis le côté première électrode ; la seconde couche semi-conductrice composée est retirée dans des zones 11 entre les éléments de réception de lumière 10 ; la première électrode 31 et la première couche semi-conductrice composée 21 sont partagées entre les éléments de réception de lumière ; et la concentration en impuretés de la première couche semi-conductrice composée 21A dans le voisinage de la première électrode est inférieure à la concentration en impuretés de la première couche semi-conductrice composée 21B dans le voisinage de la seconde couche semi-conductrice composée.
(JA)撮像装置にあっては、複数の受光素子10が2次元マトリクス状に配列されており、各受光素子10は、第1電極31、光電変換層20及び第2電極32から成り、光電変換層20は、第1電極側から、第1導電型を有する第1化合物半導体層21、及び、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型を有する第2化合物半導体層22が積層された積層構造を有しており、受光素子10と受光素子10との間の領域11における第2化合物半導体層は除去されており、第1電極31及び第1化合物半導体層21は、受光素子間で共通であり、第1電極近傍における第1化合物半導体層21Aの不純物濃度は、第2化合物半導体層近傍における第1化合物半導体層21Bの不純物濃度よりも低い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)