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1. (WO2017013881) ルチル型ニオブ酸窒化物及びその製造方法、並びに半導体構造体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/013881 国際出願番号: PCT/JP2016/003412
国際公開日: 26.01.2017 国際出願日: 21.07.2016
IPC:
C01G 33/00 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01)
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
33
ニオブ化合物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
24
真空蒸着
28
波動エネルギーまたは粒子放射によるもの
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
発明者:
菊地 諒介 KIKUCHI, Ryosuke; --
羽藤 一仁 HATO, Kazuhito; --
長谷川 哲也 HASEGAWA, Tetsuya; --
廣瀬 靖 HIROSE, Yasushi; --
代理人:
鎌田 耕一 KAMADA, Koichi; JP
間中 恵子 KENCHU, Keiko; JP
優先権情報:
2015-14570323.07.2015JP
発明の名称: (EN) RUTILE-TYPE NIOBIUM OXYNITRIDE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) OXYNITRURE DE NIOBIUM TYPE RUTILE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ルチル型ニオブ酸窒化物及びその製造方法、並びに半導体構造体
要約:
(EN) The present disclosure provides a rutile-type niobium oxynitride having a rutile-type crystal structure and represented by the chemical formula NbON. The present disclosure also provides a semiconductor structure (100) comprising: a substrate (110) in which at least one principal surface is formed of a rutile-type compound having a rutile-type crystal structure; and a niobium oxynitride (for example, a rutile-type niobium oxynitride film (120)) grown on said one principal surface of the substrate (110), the niobium oxynitride having a rutile-type crystal structure and represented by the chemical formula NbON.
(FR) L’invention fournit un oxynitrure de niobium type rutile qui possède une structure cristalline de type rutile, et qui est représenté par la formule chimique NbON. En outre, l’invention fournit une structure de semi-conducteur (100) qui contient : un substrat (110) tel qu’au moins une face principale est formée par un composé type rutile possédant une structure cristalline de type rutile ; et un oxynitrure de niobium (par exemple, un film d’oxynitrure de niobium type rutile (120)) qui possède une structure cristalline de type rutile, qui est représenté par la formule chimique NbON, et dont la croissance s’est faite sur ladite face principale du substrat (110).
(JA) 本開示は、ルチル型の結晶構造を有する、化学式NbONにより表されるルチル型ニオブ酸窒化物を提供する。また、本開示は、少なくとも一方の主面が、ルチル型の結晶構造を有するルチル型化合物で形成されている基板(110)と、基板(110)の前記一方の主面上に成長した、ルチル型の結晶構造を有する化学式NbONにより表されるニオブ酸窒化物(例えばルチル型ニオブ酸窒化物膜(120))と、を含む半導体構造体(100)も提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)