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1. WO2017013796 - 半導体装置用ボンディングワイヤ

公開番号 WO/2017/013796
公開日 26.01.2017
国際出願番号 PCT/JP2015/071002
国際出願日 23.07.2015
IPC
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
CPC
B23K 2101/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2101Articles made by soldering, welding or cutting
36Electric or electronic devices
40Semiconductor devices
B23K 35/0227
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
35Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
02characterised by mechanical features, e.g. shape
0222for use in soldering, brazing
0227Rods, wires
B23K 35/302
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
35Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
22characterised by the composition or nature of the material
24Selection of soldering or welding materials proper
30with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
302Cu as the principal constituent
C22C 5/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
5Alloys based on noble metals
04Alloys based on a platinum group metal
C22C 9/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
9Alloys based on copper
C22C 9/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
9Alloys based on copper
04with zinc as the next major constituent
出願人
  • 日鉄住金マイクロメタル株式会社 NIPPON MICROMETAL CORPORATION [JP]/[JP]
  • 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山田 隆 YAMADA, Takashi
  • 小田 大造 ODA, Daizo
  • 大石 良 OISHI, Ryo
  • 宇野 智裕 UNO, Tomohiro
代理人
  • 酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FIL DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置用ボンディングワイヤ
要約
(EN)
Provided is a bonding wire for a semiconductor device, said bonding wire comprising a coating layer composed primarily of Pd on the surface of a Cu alloy core, and a cover alloy layer containing Au and Pd on the surface of the coating layer, wherein second bonding performance is further improved in a Pd-plated lead frame, and excellent ball bonding performance can be achieved even under high humidity and heat conditions. In the bonding wire for a semiconductor device, said bonding wire comprising a coating layer composed primarily of Pd on the surface of a Cu alloy core, and a cover alloy layer containing Au and Pd on the surface of the coating layer, the concentration of Cu on the outermost surface of the wire is set at 1–10 at%, and the core contains 0.1–3.0 mass%, in total, of Pd and/or Pt, thus improving second bonding performance and enabling excellent ball bonding performance to be achieved under high humidity and heat conditions. In addition, the maximum concentration of Au in the cover alloy layer is preferably 15–75 at%.
(FR)
L'invention concerne un fil de connexion pour dispositif à semi-conducteurs qui possède une couche de revêtement ayant pour principal composant un Pd sur la surface d'un matériau d'âme en alliage de Cu, et une couche d'alliage superficielle contenant un Au et un Pd sur la surface de la couche de revêtement. Plus précisément, l'invention fournit un fil de connexion qui améliore des propriétés de seconde liaison dans une grille de connexion avec placage de Pd, et qui permet de développer d'excellentes propriétés de liaison de billes y compris sous des conditions de chauffage à humidité élevée. Le fil de connexion pour dispositif à semi-conducteurs de l'invention qui possède une couche de revêtement ayant pour principal composant un Pd sur la surface d'un matériau d'âme en alliage de Cu, et une couche d'alliage superficielle contenant un Au et un Pd sur la surface de la couche de revêtement, comprend dans le matériau d'âme un Pd et/ou un Pt dans une plage de 0,1 à 3,0% en masse au total, lorsque la concentration en Cu de la face la plus externe du fil est comprise entre 1 et 10%at, et permet ainsi une amélioration des propriétés de seconde liaison, et d'excellentes propriétés de liaison de billes sous des conditions de chauffage à humidité élevée. Enfin, de préférence, la concentration maximale en Au dans la couche d'alliage superficielle, est comprise entre 15 et 75%at.
(JA)
Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Pdめっきリードフレームでの2nd接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。 Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面Cu濃度を1~10at%とし、芯材中にPd、Ptの一方又は両方を総計で0.1~3.0質量%の範囲で含有することにより、2nd接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のAuの最大濃度が15at%~75at%であると好ましい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報