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1. (WO2017010549) 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/010549 国際出願番号: PCT/JP2016/070850
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 14.07.2016
予備審査請求日: 28.11.2016
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01F 10/32 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08
磁性体層によって特徴づけられたもの
10
組成によって特徴づけられたもの
12
金属または合金
16
コバルトを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
32
スピン変換連結の多層,例,極小構造の超格子
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
発明者:
佐藤 英夫 SATO Hideo; JP
池田 正二 IKEDA Shoji; JP
マティアス ベルスワイラー Mathias BERSWEILER; JP
本庄 弘明 HONJOU Hiroaki; JP
渡部 杏太 WATANABE Kyota; JP
深見 俊輔 FUKAMI Shunsuke; JP
松倉 文▲礼▼ MATSUKURA Fumihiro; JP
伊藤 顕知 ITO Kenchi; JP
丹羽 正昭 NIWA Masaaki; JP
遠藤 哲郎 ENDOH Tetsuo; JP
大野 英男 OHNO Hideo; JP
代理人:
特許業務法人 英知国際特許事務所 EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 東京都文京区千石4丁目45番13号 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011, JP
優先権情報:
2015-15548116.07.2015JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
要約:
(EN) The present invention realizes a highly integrated high-capacity magnetic memory through miniaturization. The present invention can provide: a magnetoresistive element; and a magnetic memory using the magnetoresistive element, wherein the magnetoresistive element is provided with a first magnetic layer (25) having a magnetization direction perpendicular to a film surface, a first non-magnetic layer (13) disposed adjacent to one side of the first magnetic layer (25), and a second magnetic layer (12) which is disposed adjacent to the other side of the first magnetic layer (25) opposed to the first non-magnetic layer (13) and has a magnetization direction perpendicular to the film surface. The first magnetic layer (25) includes at least one 3d ferromagnetic transition metal element such as Co, Fe, Ni and Mn, and has the function of increasing the interfacial magnetic anisotropy energy density (Ki) at the interface between the first magnetic layer (25) and the first non-magnetic layer (13), and the second magnetic layer (12) includes at least one 3d ferromagnetic transition metal element such as Co, Fe, Ni and Mn, and has a saturation magnetization lower than the saturation magnetization (Ms) of the first magnetic layer (25).
(FR) La présente invention permet d'obtenir une mémoire magnétique de grande capacité hautement intégrée par miniaturisation. La présente invention peut porter sur : un élément magnétorésistif; et une mémoire magnétique utilisant cet élément magnétorésistif, l'élément magnétorésistif comprenant une première couche magnétique (25) ayant une direction d'aimantation perpendiculaire à une surface de film, une première couche non magnétique (13) disposée adjacente à une face de la première couche magnétique (25), et une seconde couche magnétique (12) qui est disposée adjacente à l'autre face de la première couche magnétique (25) à l'opposé de la première couche non magnétique (13) et a une direction d'aimantation perpendiculaire à la surface de film. La première couche magnétique (25) comprend au moins un élément métal de transition ferromagnétique 3d tel que Co, Fe, Ni et Mn, et pour fonction d'augmenter la densité d'énergie d'anisotropie magnétique interfaciale (Ki) à l'interface entre la première couche magnétique (25) et la première couche non magnétique (13), et la seconde couche magnétique (12) comprend au moins un élément métal de transition ferromagnétique 3d tel que Co, Fe, Ni et Mn, et présente une aimantation à saturation inférieure à l'aimantation à saturation (Ms) de la première couche magnétique (25).
(JA) 微細化により高集積化された大容量の磁気メモリを実現する。 磁化方向が膜面垂直方向である第1の磁性層(25)と、第1の磁性層(25)に隣接して設けられる第1の非磁性層(13)と、第1の磁性層(25)の第1の非磁性層(13)とは反対側に隣接して設けられ、磁化方向が膜面垂直方向である第2の磁性層(12)とを備え、第1の磁性層(25)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第1の非磁性層(13)との界面に界面磁気異方性エネルギー密度(Ki)を増大させる機能を有し、第2の磁性層(12)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第1の磁性層(25)の飽和磁化(Ms)よりも低い飽和磁化である、磁気抵抗効果素子及び当該磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)