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1. (WO2017010549) 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/010549    国際出願番号:    PCT/JP2016/070850
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 14.07.2016
予備審査請求日:    28.11.2016    
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01F 10/16 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
発明者: SATO Hideo; (JP).
IKEDA Shoji; (JP).
Mathias BERSWEILER; (JP).
HONJOU Hiroaki; (JP).
WATANABE Kyota; (JP).
FUKAMI Shunsuke; (JP).
MATSUKURA Fumihiro; (JP).
ITO Kenchi; (JP).
NIWA Masaaki; (JP).
ENDOH Tetsuo; (JP).
OHNO Hideo; (JP)
代理人: EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011 (JP)
優先権情報:
2015-155481 16.07.2015 JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
要約: front page image
(EN)The present invention realizes a highly integrated high-capacity magnetic memory through miniaturization. The present invention can provide: a magnetoresistive element; and a magnetic memory using the magnetoresistive element, wherein the magnetoresistive element is provided with a first magnetic layer (25) having a magnetization direction perpendicular to a film surface, a first non-magnetic layer (13) disposed adjacent to one side of the first magnetic layer (25), and a second magnetic layer (12) which is disposed adjacent to the other side of the first magnetic layer (25) opposed to the first non-magnetic layer (13) and has a magnetization direction perpendicular to the film surface. The first magnetic layer (25) includes at least one 3d ferromagnetic transition metal element such as Co, Fe, Ni and Mn, and has the function of increasing the interfacial magnetic anisotropy energy density (Ki) at the interface between the first magnetic layer (25) and the first non-magnetic layer (13), and the second magnetic layer (12) includes at least one 3d ferromagnetic transition metal element such as Co, Fe, Ni and Mn, and has a saturation magnetization lower than the saturation magnetization (Ms) of the first magnetic layer (25).
(FR)La présente invention permet d'obtenir une mémoire magnétique de grande capacité hautement intégrée par miniaturisation. La présente invention peut porter sur : un élément magnétorésistif; et une mémoire magnétique utilisant cet élément magnétorésistif, l'élément magnétorésistif comprenant une première couche magnétique (25) ayant une direction d'aimantation perpendiculaire à une surface de film, une première couche non magnétique (13) disposée adjacente à une face de la première couche magnétique (25), et une seconde couche magnétique (12) qui est disposée adjacente à l'autre face de la première couche magnétique (25) à l'opposé de la première couche non magnétique (13) et a une direction d'aimantation perpendiculaire à la surface de film. La première couche magnétique (25) comprend au moins un élément métal de transition ferromagnétique 3d tel que Co, Fe, Ni et Mn, et pour fonction d'augmenter la densité d'énergie d'anisotropie magnétique interfaciale (Ki) à l'interface entre la première couche magnétique (25) et la première couche non magnétique (13), et la seconde couche magnétique (12) comprend au moins un élément métal de transition ferromagnétique 3d tel que Co, Fe, Ni et Mn, et présente une aimantation à saturation inférieure à l'aimantation à saturation (Ms) de la première couche magnétique (25).
(JA)微細化により高集積化された大容量の磁気メモリを実現する。 磁化方向が膜面垂直方向である第1の磁性層(25)と、第1の磁性層(25)に隣接して設けられる第1の非磁性層(13)と、第1の磁性層(25)の第1の非磁性層(13)とは反対側に隣接して設けられ、磁化方向が膜面垂直方向である第2の磁性層(12)とを備え、第1の磁性層(25)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第1の非磁性層(13)との界面に界面磁気異方性エネルギー密度(Ki)を増大させる機能を有し、第2の磁性層(12)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第1の磁性層(25)の飽和磁化(Ms)よりも低い飽和磁化である、磁気抵抗効果素子及び当該磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)