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1. (WO2017010512) 蒸着方法及び蒸着装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/010512 国際出願番号: PCT/JP2016/070682
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 13.07.2016
IPC:
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
24
真空蒸着
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
04
選択された表面部分の被覆,例.マスクを用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者: OCHI Takashi; --
KAWATO Shinichi; --
MATSUNAGA Kazuki; --
KOBAYASHI Yuhki; --
KIKUCHI Katsuhiro; --
ICHIHARA Masahiro; JP
代理人: NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
優先権情報:
2015-14155315.07.2015JP
発明の名称: (EN) VAPOR DEPOSITION METHOD AND VAPOR DEPOSITION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET DISPOSITIF DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 蒸着方法及び蒸着装置
要約:
(EN) Limiting nozzles (61a1-61c6) for limiting directionality in an in-plane direction of first through third vapor deposition particles (91a, 91b, 91c) emitted toward a substrate (10) from first through third vapor deposition source openings are provided in the first through third vapor deposition source openings (61a, 61b, 61c).
(FR) Des buses de limitation (61a1-61c6) destinées à limiter la directionnalité dans une direction dans le plan d'une première, d'une deuxième et d'une troisième particule de dépôt en phase vapeur (91a, 91b, 91c) émises en direction d'un substrat (10) par une première, une deuxième et une troisième ouverture de source de dépôt en phase vapeur sont placées dans la première, la deuxième et la troisième ouverture de source de dépôt en phase vapeur (61a, 61b, 61c).
(JA) 第1から第3蒸着源開口(61a,61b,61c)には、これら第1から第3蒸着源開口から放出されて基板(10)へ向かう第1から第3蒸着粒子(91a,91b,91c)の面内方向における指向性を制限する制限ノズル(61a1~61c6)が設けられる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)