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1. WO2017010452 - マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法

公開番号 WO/2017/010452
公開日 19.01.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/070405
国際出願日 11.07.2016
IPC
G03F 1/32 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G03F 1/54 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54吸収材,例.不透明な材料
G03F 1/58 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54吸収材,例.不透明な材料
582つ以上の異なる吸収材層,例.積層された複数層の吸収材
CPC
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
G03F 1/54
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
54Absorbers, e.g. of opaque materials
G03F 1/58
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
54Absorbers, e.g. of opaque materials
58having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
G03F 1/80
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
80Etching
G03F 1/82
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 梶原 猛伯 KAJIWARA, Takenori
  • 宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki
  • 野澤 順 NOZAWA, Osamu
代理人
  • 池田 憲保 IKEDA, Noriyasu
優先権情報
2015-14131715.07.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE À DÉPHASAGE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MASQUE À DÉPHASAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a mask blank for manufacturing a phase shift mask for which the thermal expansion of a phase shift pattern occurring when exposure light is radiated onto the phase shift pattern is small, and for which the movement of the phase shift pattern is suppressed so as to be small. The present invention is characterized by the following: a phase shift film has a function for allowing ArF excimer-laser exposure light to be transmitted at a transmission rate of 2 to 30%, and a function for generating a phase difference of 150 to 180 degrees in the exposure light which was transmitted through the phase shift film from exposure light rays passing through the air at a distance equivalent to the thickness of the phase shift film; the phase shift film is formed of a material that includes metal and silicon, and the phase shift film has a configuration in which an upper layer and a lower layer are stacked from a light-transmitting substrate side; with respect to the lower layer, the refractive index n for the wavelength of the exposure light is smaller than that of the light-transmitting substrate; with respect to the upper layer, the refractive index n for the wavelength of the exposure light is larger than that of the light-transmitting substrate; with respect to the lower layer, the extinction coefficient k for the wavelength of the exposure light is larger than that of the upper layer; and the upper layer is thicker than the lower layer.
(FR)
L'objet de la présente invention consiste à fournir une ébauche de masque destinée à produire un masque à déphasage pour lequel la dilatation thermique d'un motif de déphasage, survenant lorsque la lumière d'exposition est émise sur le motif de déphasage, est faible et pour lequel le mouvement du motif de déphasage est supprimé de manière à être faible. La présente invention est caractérisée par ce qui suit : un film à déphasage a une fonction destinée à permettre à la lumière d'exposition de laser à excimère ArF d'être transmise à une vitesse de transmission comprise entre 2 % et 30 % et une fonction destinée à produire une différence de phase comprise entre 150 degrés et 180 degrés dans la lumière d'exposition qui a été transmise à travers le film de déphasage à partir des rayons lumineux d'exposition traversant l'air à une distance équivalente à l'épaisseur du film de déphasage; le film de déphasage est formé d'un matériau qui comprend du métal et du silicium et le film de déphasage a une configuration selon laquelle une couche supérieure et une couche inférieure sont empilées d'un côté du substrat transmettant la lumière; par rapport à la couche inférieure, l'indice de réfraction n pour la longueur d'onde de la lumière d'exposition est inférieur à celui du substrat transmettant la lumière; par rapport à la couche supérieure, l'indice de réfraction n pour la longueur d'onde de la lumière d'exposition est supérieur à celui du substrat transmettant la lumière; par rapport à la couche inférieure, le coefficient d'extinction k pour la longueur d'onde de la lumière d'exposition est supérieur à celui de la couche supérieure; et la couche supérieure est plus épaisse que la couche inférieure.
(JA)
位相シフトパターンに対して露光光を照射したときに発生する位相シフトパターンの熱膨張が小さく、位相シフトパターンの移動が小さくなるように抑制された位相シフトマスクを製造するためのマスクブランクを提供することを目的とする。 位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を2%以上30%以下の透過率で透過させる機能と、位相シフト膜を透過した露光光に対して位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で150度以上180度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、位相シフト膜は、金属およびケイ素を含有する材料で形成され、透光性基板側から下層と上層が積層した構造を含み、下層は、透光性基板よりも露光光の波長における屈折率nが小さく、上層は、透光性基板よりも露光光の波長における屈折率nが大きく、下層は、前記上層よりも露光光の波長における消衰係数kが大きく、上層は、下層よりも厚さが厚いことを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報