このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2017010426) 化学蒸着装置、化学蒸着方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/010426 国際出願番号: PCT/JP2016/070292
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 08.07.2016
IPC:
C23C 16/455 (2006.01) ,B23B 27/14 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
B
旋削;中ぐり
27
旋削機械または中ぐり盤用工具;一般に類似した種類の工具;そのための付属品
14
ビットまたはチップが特別な材料でできているバイト
出願人:
三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目3番2号 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
発明者:
龍岡 翔 TATSUOKA Sho; JP
山口 健志 YAMAGUCHI Kenji; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA Masatake; JP
優先権情報:
2015-13872110.07.2015JP
2016-13527507.07.2016JP
発明の名称: (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(JA) 化学蒸着装置、化学蒸着方法
要約:
(EN) Provided is a chemical vapor deposition device comprising: a reaction vessel containing a material to be deposited; a gas supply tube provided inside the reaction vessel; and a rotation drive device for rotating the gas supply tube about an axis of rotation inside the reaction vessel; wherein the interior of the gas supply tube is divided into a first gas flow part and a second gas flow part extending along the axis of rotation, sets of gas ejection ports comprising at least three gas ejection ports that are arranged adjacent to each other in the circumferential direction are installed in the tube walls of the gas supply tube, and the sets of gas ejection ports include at least one each of a first gas ejection port for ejecting, into the reaction vessel, a first gas flowing in the first gas flow part, and a second gas ejection port for ejecting, into the reaction vessel, a second gas flowing in the second gas flow part.
(FR) L'invention concerne un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur comprenant : une cuve de réaction contenant un matériau devant être déposé ; un tube d'alimentation en gaz agencé à l'intérieur de la cuve de réaction ; et un dispositif d'entraînement en rotation destiné à faire tourner le tube d'alimentation en gaz autour d'un axe de rotation à l'intérieur de la cuve de réaction ; ce dispositif étant caractérisé en ce que l'intérieur du tube d'alimentation en gaz est divisé en une première partie d'écoulement de gaz et en une seconde partie d'écoulement de gaz s'étendant le long de l'axe de rotation, en ce que des ensembles d'orifices d'éjection comprenant au moins trois orifices d'éjection de gaz, qui sont agencés adjacents les uns aux autres dans le sens circonférentiel, sont installés dans les parois tubulaires du tube d'alimentation en gaz, et en ce que les ensembles d'orifices d'éjection comprennent chacun un premier orifice d'éjection de gaz pour l'éjection, dans la cuve de réaction, d'un premier gaz s'écoulant dans la première partie d''écoulement de gaz, et/ou un second orifice d'éjection de gaz pour l'éjection, dans la cuve de réaction, d'un second gaz s'écoulant dans la seconde partie d'écoulement de gaz.
(JA) 被成膜物が収容される反応容器と、反応容器内に設けられたガス供給管と、反応容器内でガス供給管を回転軸周りに回転させる回転駆動装置と、を有し、ガス供給管の内部は、回転軸に沿って延びる第1ガス流通部と第2ガス流通部とに区画され、ガス供給管の管壁には、周方向に隣り合って配置された少なくとも3つ以上のガス噴出口からなるガス噴出口の組が設置され、ガス噴出口の組は、第1ガス流通部に流通する第1ガスを反応容器内に噴出させる第1ガス噴出口と、第2ガス流通部に流通する第2ガスを反応容器内に噴出させる第2ガス噴出口をそれぞれ少なくとも一つ以上含む、化学蒸着装置。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)