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1. (WO2017010342) 酸化物半導体膜のエッチング方法および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2017/010342    International Application No.:    PCT/JP2016/069863
Publication Date: Fri Jan 20 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed Jul 06 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/306
H01L 21/308
H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: TAKAMARU Yutaka
高丸 泰
SAITOH Takao
斉藤 貴翁
KANZAKI Yohsuke
神崎 庸輔
Title: 酸化物半導体膜のエッチング方法および半導体装置の製造方法
Abstract:
酸化物半導体膜のエッチング方法は、In、SnおよびZnを含む酸化物半導体膜(7)が表面に形成された基板(1)を用意する工程と、フッ化アンモニウムを含むエッチング溶液を用いて、酸化物半導体膜(7)のエッチングを行う工程とを包含する。