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1. (WO2017010311) 固体撮像素子、製造方法、および電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/010311    国際出願番号:    PCT/JP2016/069592
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 01.07.2016
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: SATO Naoyuki; (JP).
MATSUMOTO Ryosuke; (JP).
YAMAMOTO Junpei; (JP)
代理人: NISHIKAWA Takashi; (JP)
優先権情報:
2015-141883 16.07.2015 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、製造方法、および電子機器
要約: front page image
(EN)The present disclosure pertains to: a solid-state imaging element, which allows a trench structure surrounding each pixel region of the solid-state imaging element and a through-electrode to be efficiently installed in parallel; a manufacturing method; and an electronic device. A solid-state imaging element according to a first aspect of the present disclosure is provided with: a photoelectric conversion unit formed for each pixel region in a semiconductor substrate; a trench structure comprising wall surfaces of an insulating film which are formed in the depth direction of the semiconductor substrate, and surrounding each pixel region; and a through-electrode passing through the semiconductor substrate and formed at a position overlapping the trench structure. The present disclosure can be applied, for example, to a backside-illuminated CMOS image sensor.
(FR)La présente invention se rapporte à : un élément d'imagerie à semi-conducteurs, qui permet d'installer efficacement en parallèle une structure de tranchée entourant chaque région de pixel de l'élément d'imagerie à semi-conducteurs et une électrode traversante ; un procédé de fabrication ; et un dispositif électronique. Un élément d'imagerie à semi-conducteurs selon un premier aspect de la présente invention est pourvu des éléments suivants : une unité de conversion photoélectrique formée pour chaque région de pixel dans un substrat semi-conducteur ; une structure de tranchée comprenant des surfaces de paroi d'un film isolant qui sont formées dans la direction de la profondeur du substrat semi-conducteur, et entourant chaque région de pixel ; et une électrode traversante passant à travers le substrat semi-conducteur et formée au niveau d'une position chevauchant la structure de tranchée. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un capteur d’image CMOS rétroéclairé.
(JA)本開示は、固体撮像素子の各画素区画を囲むトレンチ構造と貫通電極とを効率的に併設することができるようにする固体撮像素子、製造方法、および電子機器に関する。 本開示の第1の側面である固体撮像素子は、半導体基板の画素区画毎に形成されている光電変換部と、前記半導体基板の深さ方向に形成された絶縁膜の壁面から成り、各画素区画を取り囲むトレンチ構造と、前記半導体基板を貫き、前記トレンチ構造と重複する位置に形成された貫通電極とを備える。本開示は、例えば裏面照射型CMOSイメージセンサに適用できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)