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1. (WO2017010263) 固体撮像装置、製造方法、および電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/010263 国際出願番号: PCT/JP2016/068783
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 24.06.2016
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C25D 5/02 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
5
方法に特徴のある電気鍍金;加工品の前処理または後処理
02
選択された表面部分の電気鍍金
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者:
高橋 新吾 TAKAHASHI Shingo; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
優先権情報:
2015-13843310.07.2015JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF D’ENREGISTREMENT D’IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、製造方法、および電子機器
要約:
(EN) The present disclosure pertains to a solid-state image pickup device, a manufacturing method, and electronic equipment, which are capable of suppressing surface roughening of the surface of wiring. In a re-wiring formation process, after a through-hole is opened, a Ti/Cu film which is a seed layer and a barrier layer is formed through Ti/Cu sputtering. At this moment, in reality, processes for degas heating, reverse sputtering, Ti deposition, and seed-Cu deposition are sequentially performed. When depositing a seed-Cu film, as a method for depositing a seed-Cu film having high crystallinity, one method is to perform the depositing after raising the substrate temperature. By performing the deposition at a substrate temperature not lower than 60 degrees, a seed-Cu film of Cu (111)/(200) is formed, and Cu-clouding is suppressed. The present disclosure can be applied to a CMOS solid-state image pickup device used in an image pickup apparatus such as a camera, for example.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif d’enregistrement d’images à semi-conducteurs, un procédé de fabrication, et un équipement électronique, qui peuvent supprimer la rugosification de surface de la surface de câblage. Lors d’un processus de formation de recâblage, après l’ouverture d’un trou traversant, une pellicule Ti/Cu qui est une couche de germe et une couche de barrière est formée par pulvérisation de Ti/Cu. À ce moment, en réalité, des processus de chauffage de dégazage, de pulvérisation inverse, de dépôt de Ti et de dépôt de Cu de germe sont mis en œuvre séquentiellement. Lors du dépôt d’une pellicule de Cu de germe, en tant que procédé de dépôt d’une pellicule de Cu germe dont la cristallinité est élevée, un procédé consiste à effectuer le dépôt après l’élévation de la température du substrat. En procédant au dépôt à une température de substrat qui n’est pas inférieure à 60 degrés, une pellicule de Cu germe (111)/(200) est formée, et le ternissement de Cu est supprimé. La présente invention peut être appliquée à un dispositif d’enregistrement d’images à semi-conducteurs CMOS servant dans un appareil d’enregistrement d’image de type appareil photo, par exemple.
(JA) 本開示は、配線表面の表面あれを抑制することができるようにする固体撮像装置、製造方法、および電子機器に関する。 再配線形成処理においては、貫通孔の開口後、Ti/Cuスパッタによりバリア層およびシード層であるTi/Cu膜が形成される。このとき、実際には、デガス加熱、逆スパッタ、Ti成膜、Seed-Cu成膜の処理が順に実施される。このSeed-Cu膜の成膜において、結晶性の高いSeed-Cu膜を成膜する方法として、基板温度を高くして成膜することは1つの方法であり、基板温度60度以上で成膜することで、Cu(111)/(200)のSeed-Cu膜が形成され、Cu曇りが抑制される。本開示は、例えば、カメラなどの撮像装置に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)