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1. WO2017010166 - 非極性または半極性GaNウエハ

公開番号 WO/2017/010166
公開日 19.01.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/064969
国際出願日 20.05.2016
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
C30B 25/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
C30B 7/105
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
7Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
10by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
105using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
H01L 21/02389
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02389Nitrides
H01L 21/02433
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02433Crystal orientation
出願人
  • 三菱ケミカル株式会社 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 塚田 悠介 TSUKADA, Yusuke
  • 田代 雅之 TASHIRO, Masayuki
  • 浪田 秀郎 NAMITA, Hideo
代理人
  • 川口 嘉之 KAWAGUCHI, Yoshiyuki
優先権情報
2015-14070114.07.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NON-POLAR OR SEMI-POLAR GaN WAFER
(FR) TRANCHE DE GaN NON-POLAIRE OU SEMI-POLAIRE
(JA) 非極性または半極性GaNウエハ
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a non-polar or semi-polar GaN wafer in which the width of a reduced-crystallinity band present in a main surface is narrowed. Provided is a GaN wafer comprising a first main surface and a second main surface on the side opposite the first main surface, the first main surface being parallel or inclined with respect to the M plane. If such an inclination is present and the inclination is broken down into an a-axis component and a c-axis component, the absolute value of the a-axis component is 5° or less and the absolute value of the c-axis component is 45° or less. The GaN wafer has, on the first main surface thereof, reduced-crystallinity bands extending in a direction perpendicular to the c axis, and the width of the reduced-crystallinity band is less than 190 µm.
(FR)
La présente invention vise à fournir une tranche de GaN non-polaire ou semi-polaire dans laquelle la largeur d'une bande à cristallinité réduite présente dans une surface principale est rétrécie. L'invention porte sur une tranche de GaN comprenant une première surface principale et une deuxième surface principale sur le côté opposé à la première surface principale, la première surface principale étant parallèle ou inclinée par rapport au plan M. Si une telle inclinaison est présente et que l'inclinaison est décomposée en une composante d'axe a et une composante d'axe c, la valeur absolue de la composante d'axe a est de 5° ou moins et la valeur absolue de la composante d'axe c est de 45° ou moins. La tranche de GaN présente, sur la première surface principale de cette dernière, des bandes à cristallinité réduite s'étendant dans une direction perpendiculaire à l'axe c, et la largeur de la bande à cristallinité réduite est inférieure à 190 µm.
(JA)
主表面に存在する結晶性低下帯の幅を狭くした非極性または半極性GaNウエハを提供する。第一主表面と、その反対側にある第二主表面とを有し、該第一主表面はM面に平行またはM面に対して傾斜しており、該傾斜が存在する場合においては該傾斜をa軸方向成分およびc軸方向成分に分解したときの該a軸方向成分の絶対値が5°以下かつ該c軸方向成分の絶対値が45°以下である、GaNウエハであって、該GaNウエハは、c軸に直交する方向に延びる結晶性低下帯を該第一主表面上に有し、該結晶性低下帯の幅は190μm未満である。
他の公開
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