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1. (WO2017010041) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/010041    国際出願番号:    PCT/JP2016/002872
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 14.06.2016
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
発明者: EUM, Youngshin; (JP).
OYAMA, Kazuhiro; (JP).
HIGUCHI, Yasushi; (JP).
HOSHI, Shinichi; (JP)
代理人: KIN, Junhi; (JP)
優先権情報:
2015-138957 10.07.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device wherein an AlGaN layer (4) includes a first AlGaN layer (4a) and a second AlGaN layer (4b). The second AlGaN layer is disposed between a gate structure and a drain electrode (9) and is divided into multiple parts in the arrangement direction of the gate structure and the drain electrode. A second aluminum crystal mix ratio of the second AlGaN layer is configured to be less than a first aluminum crystal mix ratio of the first AlGaN layer. Due to this configuration, it is possible to provide a semiconductor device that, while being normally-off, can suppress decreases in breakdown voltage and rises in on-resistance.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur, une couche d'AlGaN (4) comprenant une première couche d'AlGaN (4a) et une seconde couche d'AlGaN (4b). La seconde couche d'AlGaN est disposée entre une structure de grille et une électrode de drain (9) et est divisée en de multiples parties dans le sens d'agencement de la structure de grille et de l'électrode de drain. Un second rapport de mélange de cristaux d'aluminium de la seconde couche d'AlGaN est conçu de manière à être inférieur à un premier rapport de mélange de cristaux d'aluminium de la première couche d'AlGaN. Grâce à cette configuration, il est possible de fournir un dispositif à semiconducteur qui, tout en étant normalement à l'arrêt, peut supprimer des baisses de tension de claquage et des hausses de résistance à l'état passant.
(JA)半導体装置において、AlGaN層(4)が第1AlGaN層(4a)および第2AlGaN層(4b)を有する。第2AlGaN層はゲート構造部とドレイン電極(9)との間に配置され、ゲート構造部とドレイン電極との配列方向において複数に分割されている。第2AlGaN層の第2Al混晶比は、第1AlGaN層の第1Al混晶比よりも小さくされている。これにより、ノーマリーオフのデバイスとしつつ、阻止耐圧の低下を抑制でき、かつ、オン抵抗の上昇を抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)