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1. (WO2017010041) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2017/010041    International Application No.:    PCT/JP2016/002872
Publication Date: Fri Jan 20 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed Jun 15 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/338
H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/778
H01L 29/78
H01L 29/812
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: EUM, Youngshin
陰 泳信
OYAMA, Kazuhiro
小山 和博
HIGUCHI, Yasushi
樋口 安史
HOSHI, Shinichi
星 真一
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置において、AlGaN層(4)が第1AlGaN層(4a)および第2AlGaN層(4b)を有する。第2AlGaN層はゲート構造部とドレイン電極(9)との間に配置され、ゲート構造部とドレイン電極との配列方向において複数に分割されている。第2AlGaN層の第2Al混晶比は、第1AlGaN層の第1Al混晶比よりも小さくされている。これにより、ノーマリーオフのデバイスとしつつ、阻止耐圧の低下を抑制でき、かつ、オン抵抗の上昇を抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。