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1. WO2017010009 - 半導体素子

公開番号 WO/2017/010009
公開日 19.01.2017
国際出願番号 PCT/JP2015/070447
国際出願日 16.07.2015
IPC
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
出願人
  • ウルトラメモリ株式会社 ULTRA MEMORY INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 齋藤 元章 SAITO, Motoaki
  • 安達 隆郎 ADACHI, Takao
代理人
  • 正林 真之 SHOBAYASHI, Masayuki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子
要約
(EN)
A semiconductor element 10 that has an element first main surface 11, an element second main surface 12 that is the reverse surface from the element first main surface 11, and an element side surface 13. The semiconductor element is provided with: a signal transmission/reception terminal 14 that is provided to the element first main surface 11 and that contacts and can transmit/receive signals to/from an external-substrate signal transmission/reception terminal 210 that is provided to an external substrate 200 that is external to the semiconductor element 10; and a signal transmission/reception part 15 that is provided to the element side surface 13 and that, via the element side surface 13, can transmit/receive signals in a non-contact manner to/from an external-semiconductor-element signal transmission/reception part 120 that is provided to an external semiconductor element 100 that is external to the semiconductor element 10.
(FR)
L'invention concerne un élément semi-conducteur 10 qui a une première surface principale d'élément 11, une seconde surface principale d'élément 12 qui est la surface inverse de la première surface principale d'élément 11, et une surface latérale d'élément 13. L'élément semi-conducteur est pourvu : d'un terminal d'émission/réception de signal 14 qui est disposé sur la première surface principale d'élément 11 et qui entre en contact avec et peut émettre/recevoir des signaux vers/à partir d'un terminal d'émission/réception de signal de substrat externe 210 qui est disposé sur un substrat externe 200 qui est externe à l'élément semi-conducteur 10 ; et d'une partie d'émission/réception de signal 15 qui est disposée sur la surface latérale d'élément 13 et qui, par l'intermédiaire de la surface latérale d'élément 13, peut émettre/recevoir des signaux sans contact vers/à partir d'une partie d'émission/réception de signal d'élément semi-conducteur externe 120 qui est disposée sur un élément semi-conducteur externe 100 qui est externe à l'élément semi-conducteur 10.
(JA)
素子第1主面11と、素子第1主面11と反対の面である素子第2主面12と、素子側面13と、を有する半導体素子10であって、素子第1主面11に設けられ、半導体素子10の外部にある外部基板200に設けられた外部基板信号送受信端子210との間で、接触して信号の送受信が可能である信号送受信端子14と、素子側面13に設けられ、半導体素子10の外部にある外部半導体素子100に設けられた外部半導体素子信号送受信部120との間で、素子側面13を介して、非接触に信号の送受信が可能である信号送受信部15と、を備えた半導体素子。
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