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1. (WO2017009997) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/009997 国際出願番号: PCT/JP2015/070396
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 16.07.2015
IPC:
B01J 7/00 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
7
ガス発生装置
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
守川敦史 MORIKAWA, Atsushi; JP
島田 真一 SHIMADA, Masakazu; JP
葛西 健 KASAI, Takeshi; JP
寿崎 健一 SUZAKI, Kenichi; JP
山崎 裕久 YAMAZAKI, Hirohisa; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, AND VAPORIZATION SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME DE VAPORISATION
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム
要約:
(EN) In order to provide a configuration that reduces the residue within a vaporizer while significantly enhancing vaporization performance, provided is a configuration that is equipped with: a vaporization chamber that has one end section and another end section; a first liquid supplying section that is connected to the vaporization chamber at the other end section and supplies, toward the one end section, a mixed liquid containing a first carrier gas mixed with a liquid starting material; and a second liquid supplying section that supplies, toward the mixed liquid at the one end section, a second carrier gas from the peripheral edge sides of the one end section toward the center thereof.
(FR) En vue de fournir une configuration qui réduit les résidus à l'intérieur d'un vaporisateur tout en améliorant significativement la performance de vaporisation, l'invention concerne une configuration qui est équipée des éléments suivants: une chambre de vaporisation qui comprend une première section d'extrémité et une autre section d'extrémité; une première section d'alimentation en liquide qui est raccordée à la chambre de vaporisation au niveau de l'autre section d'extrémité et qui fournit, en direction de la première section d'extrémité, un liquide mixte contenant un premier gaz porteur mélangé à un matériau de départ liquide; et une seconde section d'alimentation en liquide qui fournit, en direction du liquide mixte au niveau de la première section d'extrémité, un second gaz porteur à partir des côtés de bord périphérique de la première section d'extrémité en direction de son centre.
(JA) 気化器内の残渣を低減しつつ、気化性能を著しく向上させた構成を提供するために、一端部と他端部とを有する気化室と、前記他端部で気化室に接続され、前記一端部に向けて第1キャリアガスと液体原料が混合された混合流体とを供給する第1流体供給部と、前記一端部の前記混合流体に向けて前記一端部の周縁側から中心側へ第2キャリアガスを供給する第2流体供給部と、を備える構成が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)