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1. (WO2017009990) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/009990    国際出願番号:    PCT/JP2015/070332
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 15.07.2015
IPC:
H03K 17/08 (2006.01), H03K 17/10 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
発明者: IKEDA, Kentaro; .
YASUZUMI, Takenori; .
HASEGAWA, Kohei;
代理人: IKEGAMI, Tetsuma; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is equipped with: a normally off transistor having a first source, a first drain and a first gate; a normally on transistor having a second source electrically connected to the first drain, and also having a second drain and a second gate; a capacitor having a first end section, and a second end section that is electrically connected to the second gate; a first anode that is electrically connected between the second end section and the second gate; a first diode having a first cathode that is electrically connected to the second source; a first resistance provided between the first end section and the first gate; a second anode that is electrically connected to the first end section; and a second diode provided in parallel to the first resistance, and having a second cathode that is electrically connected to the first gate.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui est équipé : d'un transistor normalement bloqué comportant une première source, un premier drain et une première grille ; d'un transistor normalement passant comportant une seconde source connectée électriquement au premier drain, et comportant également un second drain et une seconde grille ; d'un condensateur comportant une première section d'extrémité et une seconde section d'extrémité qui est connectée électriquement à la seconde grille ; d'une première anode qui est connectée électriquement entre la seconde section d'extrémité et la seconde grille ; d'une première diode comportant une première cathode qui est connectée électriquement à la seconde source ; d'une première résistance montée entre la première section d'extrémité et la première grille ; d'une seconde anode qui est connectée électriquement à la première section d'extrémité ; et d'une seconde diode montée en parallèle avec la première résistance, et comportant une seconde cathode qui est connectée électriquement à la première grille.
(JA)実施形態の半導体装置は、第1のソース、第1のドレイン、第1のゲートを有するノーマリーオフトランジスタと、第1のドレインに電気的に接続された第2のソース、第2のドレイン、第2のゲートを有するノーマリーオントランジスタと、第1の端部と第2の端部を有し、第2の端部が第2のゲートに電気的に接続されたコンデンサと、第2の端部と第2のゲートとの間に電気的に接続された第1のアノードと、第2のソースに電気的に接続された第1のカソードを有する第1のダイオードと、第1の端部と、第1のゲートとの間に設けられた第1の抵抗と、第1の端部に電気的に接続された第2のアノードと、第1のゲートに電気的に接続された第2のカソードを有し、第1の抵抗と並列に設けられた第2のダイオードと、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)