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1. (WO2017009964) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2017/009964    International Application No.:    PCT/JP2015/070234
Publication Date: Fri Jan 20 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jul 16 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/306
H01L 21/329
H01L 29/868
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: KACHI Takao
加地 考男
YOSHIURA Yasuhiro
吉浦 康博
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
シリコン基板(10)上に、少なくとも1つの開口部OPを有するSiO2膜31が形成される。シリコン酸化膜(31)上に設けられ、開口部(OP)においてシリコン基板(10)に達し、シリコン酸化膜(31)に比してフッ化水素酸にエッチングされにくい材料から作られた構造体(41)が形成される。シリコン酸化膜(31)および構造体(41)が設けられたシリコン基板(10)に対して、フッ化水素酸を用いたウェットエッチングが行われる。ウェットエッチングを行う工程において、シリコン酸化膜(31)と構造体(41)との界面がフッ化水素酸にさらされる。