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1. (WO2017009948) 原子層蒸着法によるルテニウム薄膜の形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/009948 国際出願番号: PCT/JP2015/070143
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 14.07.2015
IPC:
H01L 21/285 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/285][IPC code unknown for C23C 16/44]
出願人:
リサーチ コーオペレーション ファウンデーション オブ ヨンナム ユニバーシティ RESEARCH COOPERATION FOUNDATION OF YEUNGNAM UNIVERSITY [KR/KR]; キョンサンプクド キョンサンシ テハンノ (テ‐ドン) 280 (Dae-dong) 280, Daehak-ro, Gyeongsan-si, Gyeongsangbuk-do 712749, KR
田中貴金属工業株式会社 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422, JP
発明者:
キム・スヒョン KIM, Soo Hyun; KR
イ・スンジュン LEE, Seung Joon; KR
齋藤 昌幸 SAITO, Masayuki; JP
鍋谷 俊一 NABEYA, Shunichi; JP
代理人:
特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING RUTHENIUM THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM MINCE DE RUTHÉNIUM PAR DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
(JA) 原子層蒸着法によるルテニウム薄膜の形成方法
要約:
(EN) The present invention pertains to a method for forming a ruthenium thin film by atomic layer deposition. The method for forming a ruthenium thin film by atomic layer deposition according to the embodiments of the present invention includes a step for supplying a ruthenium-containing precursor to a substrate within a chamber, a step for purging the ruthenium-containing precursor from the chamber, a step for supplying a reaction gas to the substrate, a step for purging the reaction gas from the chamber, and a step for heat treating the deposited ruthenium thin film. Ammonia gas is utilized as the reaction gas.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour former un film mince de ruthénium par dépôt de couche atomique. Le procédé de formation d'un mince film de ruthénium par dépôt de couche atomique selon les modes de réalisation de la présente invention comprend une étape de fourniture d'un précurseur contenant du ruthénium à un substrat dans une chambre, une étape de purge du précurseur contenant du ruthénium de la chambre, une étape de fourniture d'un gaz de réaction au substrat, une étape de purge du gaz de réaction de la chambre, et une étape de traitement thermique du film mince de ruthénium déposé. Du gaz ammoniac est utilisé comme gaz de réaction.
(JA) 本発明は、原子層蒸着法によるルテニウム薄膜の形成方法に関する。本発明の実施例による原子層蒸着法によるルテニウム薄膜の形成方法は、チャンバー内の基板にルテニウム含有前駆体を供給する段階と、チャンバーからルテニウム含有前駆体をパージする段階と、基板に反応ガスを供給する段階と、チャンバーから反応ガスをパージする段階と、蒸着したルテニウム薄膜を熱処理する段階とを含み、反応ガスはアンモニアガスを適用するものである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)