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1. (WO2017009944) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/009944    国際出願番号:    PCT/JP2015/070129
国際公開日: 19.01.2017 国際出願日: 14.07.2015
IPC:
H04N 5/3745 (2011.01), H04N 5/345 (2011.01)
出願人: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
発明者: KONDO Toru; (JP).
TAMIYA Kosei; (JP).
WATANABE Nobuyuki; (JP)
代理人: TANAI Sumio; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
要約: front page image
(EN)The present invention has: a first semiconductor substrate on which light is incident; a second semiconductor substrate that is layered on a surface located on the opposite side of a surface on which side the light is incident on the first semiconductor substrate; n-number of first photoelectric conversion elements that are disposed on the first semiconductor substrate at a certain interval, and that each generate a first charge signal obtained through photoelectric conversion of the incident light; n-number of first retrieval circuits that are disposed on the first semiconductor substrate in a corresponding manner with the respective n-number of first photoelectric conversion elements, that each accumulate the first charge signal generated by a corresponding one of the first photoelectric conversion elements, and that each output, as a first pixel signal, a signal voltage in accordance with the accumulated first charge signal; a drive circuit that successively drives each of the n-number of first retrieval circuits and causes each thereof to output the first pixel signal; m-number of second photoelectric conversion elements that are disposed on the second semiconductor substrate or the first semiconductor substrate at a certain interval, and that each generate a second charge signal obtained through photoelectric conversion of the incident light; and m-number of second retrieval circuits that each successively output a second pixel signal representing a change in, among the m-number of second photoelectric conversion elements, the second charge signal generated by a corresponding one of the second photoelectric conversion elements, wherein each of the m-number of second retrieval circuits has: a detection circuit that detects a temporal change in the second charge signal generated by the corresponding one of the second photoelectric conversion elements and that outputs, when a change exceeding a predetermined threshold is detected, an event signal representing the direction of the change; and a pixel signal generation circuit that is disposed on the second semiconductor substrate and that outputs a second pixel signal obtained by adding, to the event signal, address information representing the position where the corresponding one of the second photoelectric conversion elements is disposed, wherein n is a natural number equal to or larger than 2 and m is a natural number equal to or larger than 2.
(FR)La présente invention comprend : un premier substrat semi-conducteur sur lequel une lumière est incidente ; un second substrat semi-conducteur qui est superposé sur une surface placée du côté opposé d’une surface, côté sur lequel la lumière est incidente sur le premier substrat semi-conducteur ; un nombre n de premiers éléments de conversion photoélectrique qui sont placés sur le premier substrat semi-conducteur à un certain intervalle, et qui génèrent chacun un premier signal de charge obtenu par la conversion photoélectrique de la lumière incidente ; un nombre n de premiers circuits de récupération qui sont placés sur le premier substrat semi-conducteur d’une manière correspondante avec le nombre n respectif de premiers éléments de conversion photoélectrique, qui accumulent chacun le premier signal de charge généré par l’un correspondant des premiers éléments de conversion photoélectrique, et qui émettent, en tant qu’un premier signal de pixel, une tension de signal d’après le premier signal de charge accumulé ; un circuit d’entraînement qui entraîne successivement chacun du nombre n de premiers circuits de récupération et commande à chacun d’entre eux d’émettre le premier signal de pixel ; un nombre m de seconds éléments de conversion photoélectrique qui sont placés sur le second substrat semi-conducteur ou le premier substrat semi-conducteur à un certain intervalle, et qui génèrent chacun un second signal de charge obtenu par la conversion photoélectrique de la lumière incidente ; et un nombre m de seconds circuits de récupération qui émettent chacun successivement un second signal de pixel représentant un changement du, dans le nombre m de seconds éléments de conversion photoélectrique, second signal de charge généré par l’un correspondant des seconds éléments de conversion photoélectrique, chacun du nombre m de seconds circuits de récupération ayant : un circuit de détection qui détecte un changement temporel du second signal de charge généré par l’élément correspondant des seconds éléments de conversion photoélectrique et qui émet, quand un changement dépassant un seuil prédéterminé est détecté, un signal d’événement représentant la direction du changement ; et un circuit de génération de signal de pixel qui est placé sur le second substrat semi-conducteur et qui émet un second signal de pixel obtenu en ajoutant, au signal d’événement, des informations d’adresse représentant la position à laquelle se trouve l’élément correspondant des seconds éléments de conversion photoélectrique, n étant un entier naturel égal ou supérieur à 2, et m étant un entier naturel égal ou supérieur à 2.
(JA)光が入射する第1の半導体基板と、第1の半導体基板に光が入射する側の面と反対側の面に積層される第2の半導体基板と、第1の半導体基板に周期的に配置され、入射した光を光電変換した第1の電荷信号を発生するn個の第1の光電変換素子と、第1の半導体基板に、n個の第1の光電変換素子のそれぞれに対応して配置され、対応する1個の第1の光電変換素子が発生した第1の電荷信号を蓄積し、蓄積した第1の電荷信号に応じた信号電圧を第1の画素信号として出力するn個の第1の読み出し回路と、n個の第1の読み出し回路のそれぞれを順次駆動して第1の画素信号のそれぞれを出力させる駆動回路と、第1の半導体基板および第2の半導体基板のいずれか一方に周期的に配置され、入射した光を光電変換した第2の電荷信号を発生するm個の第2の光電変換素子と、m個の第2の光電変換素子の内、対応する1個の第2の光電変換素子が発生した第2の電荷信号の変化を表す第2の画素信号を逐次出力するm個の第2の読み出し回路と、を有し、m個の第2の読み出し回路のそれぞれは、対応する1個の第2の光電変換素子が発生した第2の電荷信号の時間的な変化を検出し、予め定めた閾値を超える変化を検出したときに、変化した方向を表すイベント信号を出力する検出回路と、第2の半導体基板に配置され、イベント信号に、対応する1個の第2の光電変換素子が配置された位置を表すアドレス情報を付加した第2の画素信号を出力する画素信号生成回路と、を有し、nは2以上の自然数であり、mは2以上の自然数である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)