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1. WO2017006902 - 半導体素子の製造方法

公開番号 WO/2017/006902
公開日 12.01.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/069764
国際出願日 04.07.2016
IPC
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
B28D 5/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
CPC
B28D 5/0011
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
0005by breaking, e.g. dicing
0011with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
H01L 21/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
H01L 23/544
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
544Marks applied to semiconductor devices ; or parts; , e.g. registration marks, ; alignment structures, wafer maps
H01L 23/562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
562Protection against mechanical damage
H01L 2933/0033
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0033relating to semiconductor body packages
H01L 33/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 吉川 兼司 YOSHIKAWA, Kenji
  • 鈴木 正人 SUZUKI, Masato
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2015-13580107.07.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子の製造方法
要約
(EN)
The semiconductor element (12) production method comprises steps of: forming a plurality of semiconductor elements (12) on the main surface of a wafer (11); forming a plurality of cleaving groove groups (20), each disposed on a division reference line; and cleaving the wafer (11) along the division reference line (14) to separate each of the plurality of semiconductor elements (12) from one another. At least one of the plurality of cleaving groove groups (20) is disposed with respect to four semiconductor elements (12) adjacent to one another among the plurality of semiconductor elements (12). Each of the plurality of cleaving groove groups (20) contains a plurality of cleaving grooves (21, 22, 23) disposed on the division reference line (14). In this manner, the production yield for the semiconductor elements (12) may be improved.
(FR)
Le procédé de production d'élément semi-conducteur (12) comprend les étapes consistant à : former une pluralité d'éléments semi-conducteurs (12) sur la surface principale d'une tranche (11) ; former une pluralité de groupes de rainures de coupe (20), disposés chacun sur une ligne de référence de division ; et couper la tranche (11) le long de la ligne de référence de division (14) pour séparer chaque élément de la pluralité d'éléments semi-conducteurs (12) les uns des autres. Au moins un groupe de la pluralité de groupes de rainures de coupe (20) est disposé par rapport à quatre éléments semi-conducteurs (12) adjacents les uns avec les autres parmi la pluralité d'éléments semi-conducteurs (12). Chaque groupe de la pluralité de groupes de rainures de coupe (20) contient une pluralité de rainures de coupe (21, 22, 23) disposées sur la ligne de référence de division (14). De cette manière, le rendement de production des éléments semi-conducteurs (12) peut être amélioré.
(JA)
半導体素子(12)の製造方法は、ウェハ(11)の主面に複数の半導体素子(12)を形成することと、分割基準線上に配置される複数の劈開溝群(20)を形成することと、分割基準線(14)に沿ってウェハ(11)を劈開して、複数の半導体素子(12)を互いに分離することとを備える。複数の半導体素子(12)のうち、互いに隣り合う4つの半導体素子(12)に対して、複数の劈開溝群(20)の少なくとも1つが配置される。複数の劈開溝群(20)は、各々、分割基準線(14)上に配置される複数の劈開溝(21,22,23)を含む。これにより、半導体素子(12)の製造歩留りが向上され得る。
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