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1. (WO2017006809) パワー半導体モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/006809 国際出願番号: PCT/JP2016/069140
国際公開日: 12.01.2017 国際出願日: 28.06.2016
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
椋木 康滋 MUKUNOKI, Yasushige; JP
玉田 美子 TAMADA, Yoshiko; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2015-13751909.07.2015JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体モジュール
要約:
(EN) Provided is a power semiconductor module (10) which is provided with: a positive electrode-side switching element (111) and a positive electrode-side diode element (121), which are mounted on a positive electrode-side conductive pattern (131); and a negative electrode-side switching element (112) and a negative electrode-side diode element (122), which are mounted on an output-side conductive pattern (132). When an insulating substrate (100) is viewed in plan, the positive electrode-side diode element (121) and the negative electrode-side diode element (122) are positioned between the positive electrode-side switching element (111) and the negative electrode-side switching element (112), and the negative electrode-side diode element (122) is arranged closer to the positive electrode-side switching element (111) than the positive electrode-side diode element (121).
(FR) L'invention concerne un module de semi-conducteur de puissance (10) qui est pourvu : d'un élément de commutation côté électrode positive (111) et d'un élément de diode côté électrode positive (121), qui sont montés sur un motif conducteur côté électrode positive (131) ; et d'un élément de commutation côté électrode négative (112) et d'un élément de diode côté électrode négative (122), qui sont montés sur un motif conducteur côté sortie (132). Lorsqu'un substrat isolant (100) est vu en plan, l'élément de diode côté électrode positive (121) et l'élément de diode côté électrode négative (122) sont positionnés entre l'élément de commutation côté électrode positive (111) et l'élément de commutation côté électrode négative (112), et l'élément de diode côté électrode négative (122) est disposé plus près de l'élément de commutation côté électrode positive (111) que l'élément de diode côté électrode positive (121).
(JA) 正極側導電パターン(131)上に実装された正極側スイッチング素子(111)および正極側ダイオード素子(121)と、出力側導電パターン(132)上に実装された負極側スイッチング素子(112)および負極側ダイオード素子(122)とを備えたパワー半導体モジュール(10)が提供される。絶縁基板(100)を平面視して、正極側ダイオード素子(121)および負極側ダイオード素子(122)は、正極側スイッチング素子(111)と負極側スイッチング素子(112)との間に位置し、負極側ダイオード素子(122)は、正極側ダイオード素子(121)よりも正極側スイッチング素子(111)の近くに配置される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)