JP2016069080 キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法

1. (WO2017006801) キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法

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国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:		WO/2017/006801		国際出願番号:		PCT/JP2016/069080
国際公開日:		12.01.2017		国際出願日:		28.06.2016

IPC:

C03C 3/091 (2006.01), B32B 17/10 (2006.01), C03C 17/22 (2006.01), C03C 17/23 (2006.01), C03C 17/30 (2006.01), C03C 17/32 (2006.01)

出願人:

ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP)

発明者:

ONO Kazutaka; (JP).
YAOITA Takatoshi; (JP).
USUI Reo; (JP).
EBATA Kenichi; (JP).
AKIYAMA Jun; (JP)

代理人:

EIKOH PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)

優先権情報:

2015-134697

03.07.2015

発明の名称:

(EN) CARRIER SUBSTRATE, LAMINATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE SUPPORT, STRATIFIÉ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法

要約:

(EN)The present invention provides a carrier substrate which has excellent manufacturing yield of electronic devices even when the carrier substrate is reused multiple times to manufacture the electronic devices. The present invention relates to the carrier substrate which is used by being laminated to a substrate when manufacturing a member for an electronic device on a surface of the substrate, the carrier substrate including at least a first glass substrate which has a compaction of 80 ppm or less. The compaction is the percent shrinkage of the first glass substrate when the first glass substrate is heated at 600°C for 80 minutes by raising the temperature from room temperature to 600°C at 100°C/hour, and then cooled down to the room temperature by lowering the temperature at 100°C/hour.
(FR)La présente invention concerne un substrat de support qui présente un excellent rendement de fabrication de dispositifs électroniques même lorsque le substrat de support est réutilisé de multiples fois pour fabriquer les dispositifs électroniques. La présente invention concerne le substrat de support qui est utilisé en étant stratifié sur un substrat lors de la fabrication d'un élément destiné à un dispositif électronique sur une surface du substrat, ledit substrat de support comprenant au moins un premier substrat de verre qui présente un compactage inférieur ou égal à 80 ppm. Le compactage désigne le retrait en pourcentage du premier substrat de verre lorsque le premier substrat de verre est chauffé à 600 °C pendant 80 minutes en augmentant la température de la température ambiante jusqu'à 600 °C à 100 °C/heure, et ensuite refroidi jusqu'à la température ambiante en abaissant la température à 100 °C/heure.
(JA)本発明は、複数回再利用して電子デバイスの製造を行った際にも、電子デバイスの製造歩留まりが優れる、キャリア基板を提供する。本発明は、基板の表面に電子デバイス用部材を製造する際に、この基板に貼り合せられて用いられるキャリア基板であって、キャリア基板は、少なくとも第１ガラス基板を含み、この第１ガラス基板は、下記コンパクションが８０ｐｐｍ以下である、キャリア基板に関する。コンパクション：第１ガラス基板を室温より１００℃／時間で昇温し６００℃で８０分間の加熱処理をしてから、１００℃／時間で室温まで冷却した場合の収縮率。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

国際公開言語:	Japanese (JA)
国際出願言語:	Japanese (JA)

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