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1. (WO2017006765) 有機半導体素子、化合物、有機半導体組成物、および、有機半導体膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/006765 国際出願番号: PCT/JP2016/068471
国際公開日: 12.01.2017 国際出願日: 22.06.2016
IPC:
H01L 51/30 (2006.01) ,C08G 61/12 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
61
高分子の主鎖に炭素―炭素連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
12
高分子の主鎖に炭素以外の原子を含む高分子化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
山本 陽介 YAMAMOTO Yosuke; JP
滋野井 悠太 SHIGENOI Yuta; JP
代理人:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
優先権情報:
2015-13644807.07.2015JP
発明の名称: (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSÉ, COMPOSITION SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DU FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体素子、化合物、有機半導体組成物、および、有機半導体膜の製造方法
要約:
(EN) The objective of the present invention is to provide: an organic semiconductor element (especially, an organic thin film transistor) which has high carrier mobility and is capable of stably maintaining the carrier mobility even if stored for a long period of time under high temperature high humidity conditions; a compound; an organic semiconductor composition; and a method for producing an organic semiconductor film. An organic semiconductor element according to the present invention contains a compound that has a molecular weight of 2,000 or more and comprises a repeating unit represented by formula (1). In formula (1), A represents an electron acceptor unit; D represents an electron donor unit; and the D and/or A moiety has at least one monovalent group represented by formula (1-1). In formula (1-1), Ar represents an aromatic heterocyclic group or an aromatic hydrocarbon group having 5-18 carbon atoms; Ca represents CR1R2; La represents an alkylene group having 1-20 carbon atoms; Lb represents an alkyl group having 9 or more carbon atoms; l represents an integer of 1-5; and * represents a site to be bonded with another structure.
(FR) L’objectif de la présente invention est de fournir : un élément semi-conducteur organique (en particulier, un transistor à couche mince organique) qui a une forte mobilité de porteur de charge et qui est capable de maintenir de façon stable la mobilité de porteur de charge, même s’il est stocké pendant une longue durée dans des conditions de température et d’humidité élevées ; un composé ; une composition semi-conductrice organique ; et un procédé de production d’un film semi-conducteur organique. Un élément semi-conducteur organique selon la présente invention contient un composé qui a un poids moléculaire de 2 000 ou plus et qui comprend une unité répétitive représentée par la formule (1). Dans la formule (1), A représente une unité d’accepteur d’électrons ; D représente une unité de donneur d’électrons ; et la fraction D et/ou A comporte au moins un groupe monovalent représenté par la formule (1-1). Dans la formule (1-1), Ar représente un groupe hétérocyclique aromatique ou un groupe hydrocarboné aromatique ayant de 5 à 18 atomes de carbone ; Ca représente CR1R2 ; La représente un groupe alkylène ayant de 1 à 20 atomes de carbone ; Lb représente un groupe alkyle ayant 9 atomes de carbone ou plus ; l représente un entier compris entre 1 et 5 ; et * représente un site à lier à une autre structure.
(JA) 本発明の課題は、高いキャリア移動度を示し、かつ、高温高湿下で長時間保管されてもキャリア移動度を安定に維持できる有機半導体素子(特に、有機薄膜トランジスタ)、化合物、有機半導体組成物、および、有機半導体膜の製造方法を提供することである。本発明の有機半導体素子は、分子量2000以上で、かつ、式(1)で表される繰り返し単位を有する化合物を含有する。式(1)中、Aは電子アクセプターユニットであり、Dは電子ドナーユニットを表し、AおよびDの少なくとも一方は、式(1-1)で表される1価の基を少なくとも1つ有する。式(1-1)中、Arは芳香族複素環基または炭素数5~18の芳香族炭化水素基を表す。CはCRを表す。Lは炭素数1~20のアルキレン基を表す。Lは炭素数9以上のアルキル基を表す。lは、1~5の整数を表す。*は、他の構造との結合部位を表す。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)